[实用新型]半导体芯片封装模组及其封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，尤其涉及一种半导体芯片封装模组及其封装结构。

背景技术

随着电子产业的迅速发展,市场对电子产品的尺寸要求越来越趋于轻、小、薄化；相应地，对电子产品中的半导体芯片封装提出了更高的要求。

目前现有技术中，通常是采用引线键合（Wire Bonding）方式对半导体芯片进行封装（如图1所示），现有的晶圆级封装结构包括：芯片10、基板20，其中，芯片10粘合在基板20的上表面，并通过金线30与基板20电性连接，基板20下表面设有锡球40。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种减小封装体积的半导体芯片封装模组及其封装结构。

其中，本实用新型一实施方式的半导体芯片封装结构，包括：半导体芯片，所述芯片一表面设有第一电连接件和与所述第一电连接件相应的功能区；

基板，其包括上表面及与上表面相背的下表面；

所述封装结构还包括：

金属凸块，电性连接所述第一电连接件和所述基板下表面的导电层； 

第二电连接件，电性连接所述基板下表面的导电层，其厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

作为本实用新型的进一步改进，所述基板上设有通孔，所述通孔的位置与所述功能区对应。

作为本实用新型的进一步改进，所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

作为本实用新型的进一步改进，所述金属凸块的材质为金。 

相应地，本实用新型一实施方式的半导体封装模组，包括一半导体芯片封装结构、与所述半导体芯片封装结构配合的透镜及支架，所述半导体芯片封装结构包括：

半导体芯片，所述芯片一表面设有第一电连接件和与所述第一电连接件相应的功能区；

基板，其包括上表面及与上表面相背的下表面，所述基板上设有通孔，所述通孔的位置与所述功能区对应；所述封装结构还包括：

金属凸块，电性连接所述第一电连接件和所述基板下表面的导电层； 

第二电连接件，电性连接所述基板下表面的导电层，其厚度大于所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和。

作为本实用新型的进一步改进，所述透镜的焦距等于透镜中心到基板上表面的距离、基板的厚度、基板下表面到功能区中心的距离之和。

作为本实用新型的进一步改进，所述第二电连接件的厚度与所述半导体芯片和所述金属凸块的厚度之和的差值大于等于100微米。

与现有技术相比，本实用新型可通过较为简单的工艺，有效减小封装体积，满足市场对电子产品的尺寸的轻、小、薄化需求。

附图说明

图1是背景技术中半导体芯片的封装结构剖面示意图。

图2是本实用新型一实施方式中半导体芯片封装结构剖面示意图。

图3是本实用新型一实施方式中半导体封装模组结构剖面示意图。

图4是本实用新型一实施方式中半导体模组封装方法步骤流程图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。

如图2所示，在本实用新型一实施方式中，所述半导体芯片封装结构包括半导体芯片10、基板20、金属凸块30，以及第二电连接件40。

其中，所述芯片10一表面设有至少一个第一电连接件101，例如：焊垫；以及与所述第一电连接件101相应的功能区102，例如：影像传感区。所述第一电连接件101和所述功能区102电性连接。优选地，在本实施方式中，设有第一电连接件101和功能区102的表面称之为芯片10的上表面，与之相背的表面称之为芯片10的下表面。

所述基板20，其材质可为硅、玻璃、陶瓷等材料。所述基板20具有上表面及与上表面相背的下表面。优选地，所述基板20的下表面上设有导电层201。

所述至少一个第二电连接件40，例如：焊球，设置于所述基板20的下表面一侧。所述第二电连接件40电性连接所述导电层201。

所述金属凸块30，其材质可为金等导电金属。该金属凸块30电性连接所述半导体芯片10上的第一电连接件101和所述基板20下表面的导电层201，使得所述第一电连接件101通过所述金属凸块30实现与所述第二电连接件40的电性连接。