[实用新型]一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201320485594.0 申请日: 2013-08-09
公开(公告)号: CN203590166U 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 周军 申请(专利权)人: 成都国腾电子技术股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/26
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 袁英
地址: 610041 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 种差 输出 增益 相位 高度 平衡 稳健 单转双 低噪声放大器
【权利要求书】:

1.一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:它包括:

一个共源或共发射极输入放大晶体管对:第一晶体管、第四晶体管;

一个共栅或共基放大晶体管对:第二晶体管、第三晶体管;

尾电流源管和带有紧密耦合差分电感的输出负载电路。

2.根据权利要求1所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、尾电流源管均为场效应管。

3.根据权利要求2所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述的第一场效应管M1的栅极与射频输入连接,第一场效应管M1的源极通过第一负反馈电感L0与尾电流源管M5连接,第一场效应管M1的漏极与第二场效应管M2的源极相连;第四场效应管M4的源极通过第二负反馈电感L1与尾电流源管M5连接,第四场效应管M4的漏极与第三场效应管M3的源极相连,第二场效应管M2的栅极连接直流偏置电压DCBIAS_2,第三场效应管M3的栅极连接直流偏置电压DCBIAS_1,第二场效应管M2和第三场效应管M3的漏极分别与输出负载电路相连。

4.根据权利要求3所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:它还包括耦合电容C0,耦合电容C0的一端与第四场效应管M4的栅极相连,另一端连接第一场效应管M1的漏极与第二场效应管M2的源极的公共连接点。

5.根据权利要求4所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述的耦合电容C0把单端输入信号的反向信号耦合到第四场效应管M4的输入端。

6.根据权利要求3所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述尾电流源管M5的漏极连接在第一负反馈电感L0和第二负反馈电感L1的公共连接点上,尾电流源管M5的栅极连接直流偏置电压,尾电流源管M5的源极连接备用电源Vss。

7.根据权利要求2所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述输出负载电路包括由第一电容C1、第四电感L4组成的左侧单端谐振回路和由第二电容C2、第五电感L5组成的右侧单端谐振回路;第一电容C1、第四电感L4、第五电感L5和第二电容C2的一端分别与电源电压Vcc连接,第一电容C1和第四电感L4的另一端与第二场效应管M2的漏极相连,第二电容C2和第五电感L5的另一端与第三场效应管M3的漏极连接。

8.根据权利要求1所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、尾电流源管均为双极型三极管。

9.根据权利要求8所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述的第一双极型三极管Q1的基极与射频输入连接,第一双极型三极管Q1的发射极通过第一负反馈电感L0与尾电流源管Q5连接,第一双极型三极管Q1的集电极与第二双极型三极管Q2的发射极相连;第四双极型三极管Q4的发射极通过第二负反馈电感L1与尾电流源管Q5连接,第四双极型三极管Q4的集电极与第三双极型三极管Q3的发射极相连,第二双极型三极管Q2的基极连接直流偏置电压DCBIAS_2,第三双极型三极管Q3的基极连接直流偏置电压DCBIAS_1,第二双极型三极管Q2和第三双极型三极管Q3的集电极分别与输出负载电路相连。

10.根据权利要求9所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:它还包括耦合电容C0,耦合电容C0的一端与第四双极型三极管Q4的基极相连,另一端连接第一双极型三极管Q1的集电极与第二双极型三极管Q2的发射极的公共连接点。

11.根据权利要求10所述的一种差分输出增益相位高度平衡且稳健的单转双低噪声放大器,其特征在于:所述的耦合电容C0把单端输入信号的反向信号耦合到第四双极型三极管Q4的输入端。

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