[实用新型]一种智能存储卡及其系统有效
申请号: | 201320483948.8 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN203414989U | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 钟衍徽;王涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市江波龙电子有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 智能 存储 及其 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及智能卡领域,特别是涉及一种智能存储卡及其系统。
背景技术
智能存储卡就是在现有的存储卡中嵌入智能卡芯片,基于智能卡中承载的卡端应用程序,智能存储卡除提供传统存储卡的存储功能外,还能提供智能卡的各种应用服务。
现有的智能存储卡,一般包括存储卡控制器、与所述存储卡控制器电气连接的智能卡芯片、外部接口以及闪存,所述智能存储卡还包括与所述智能卡芯片电气连接的功率放大组件,以及与功率放大组件电气连接的射频天线。存储卡控制器、智能卡芯片,闪存、功率放大组件和射频天线均封装在所述智能存储卡的卡体内。由于受到所述智能存储卡卡体内空间大小的限制,所述射频天线的体积需设置得较小,当与外部终端设备感应通信时,往往会出现信号不稳定,易受到干扰的问题。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有的智能存储卡在使用时信号易受到干扰、不稳定的问题,提供多一种能使信号更加稳定,使用更加方便的智能存储卡,满足用户的功能需求。
此外,还有必要提供一种智能存储卡系统,满足不同的功能需求。
一种智能存储卡,包括外部接口,闪存,智能卡芯片,第一信号处理器,与所述外部接口、闪存、智能卡芯片、第一信号处理器分别电连接的控制器以及与所述第一信号处理器电连接的第一天线,所述智能卡芯片还与所述第一信号处理器电连接,所述智能存储卡还包括一与所述第一信号处理器电连接或者与所述智能卡芯片电连接的SWP接口。
所述SWP接口为设置于所述智能存储卡卡体上的两个金属触片。
所述智能存储卡为SD卡或miniSD卡或microSD卡。
一种智能存储卡系统,包括主机端和上述的智能存储卡,所述智能存储卡与所述主机端电连接。
所述主机端包括:
与所述SWP接口电连接的第二信号处理器和与所述第二信号处理器电连接的第二天线。
具体的,所述第二信号处理器和所述第二天线设置于所述主机端的外壳或者电池之上。
所述主机端为手机或平板电脑。
上述一种智能存储卡及其系统,通过SWP接口与主机端电连接,用户通过所述控制器既可以选择通过主机端的第二天线和第二信号处理器来收发和处理无线信号数据,又可以选择通过智能存储卡内的第一天线和第一信号处理器来收发和处理无线信号数据。这两种方式,都可以实现非接触式交易的功能,区别在于:前者使用起来无需考虑主机端是否通电,主机端的第二天线可以与外部终端设备建立无线无线通信连接,通过电磁感应,第二天线线圈上会产生电压,再将其整流后作为电源提供给智能存储卡及其系统,这样用户可以更加方便灵活的使用智能存储卡;后者需确保主机端能正常的给智能存储卡供电,当主机端能正常给智能存储卡供电时,用户可以灵活选择这两种方式中的任何一种,当然,选择使用后者,时常会出现由于第一天线和第一处理器设置于智能存储卡内部,第一天线的体积大小较小,不能更好的与外界终端设备感应通信情况,这时用户可以选择使用前者方式作为替代方案。同时,这种智能存储卡能同时兼容内置有或无NFC模块的主机设备上使用。
附图说明
图1为本实用新型实施例中提供的智能存储卡的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中提供的智能存储卡系统的结构示意图;
图3为本实用新型实施例中提供的智能存储卡系统中主机端的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体的实施例及附图对一种智能存储卡的结构进行详细的描述,以使其更加清楚。
如图1所示,在一个实施例中,一种智能存储卡220,包括外部接口110、闪存120、智能卡芯片130、第一天线140、第一信号处理器150、控制器160和SWP接口170。其中,外部接口110、闪存120、智能卡芯片130以及第一信号处理器150均与控制器160电连接,第一天线140与第一信号处理器150电连接,第一信号处理器150与智能卡芯片130电连接,SWP接口170与第一信号处理器150电连接。
在另一个实施例中,所述SWP接口170也可以直接与智能卡芯片130电连接,在此不用以限制本实用新型。
外部接口110设置于智能存储卡220卡体上,用于提供电子设备与智能存储卡的电连接。
闪存120用于存放程序和数据,由控制器160控制数据的读写操作,用于实现智能存储卡的数据存储功能。
具体的,所述闪存120为NAND闪存。
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