[实用新型]一种过压保护电路

权利要求书

1.一种过压保护电路，所述过压保护电路连接在前级电路的输出端和后级电路的输入端之间，其特征在于，包括：

过压检测电路、过压控制电路和开关电路，所述过压检测电路的一端分别连接所述前级电路的正输出端、所述过压控制电路的第一接线端和所述开关电路的第一接线端；所述过压检测电路的另一端连接所述过压控制电路的第二接线端；

所述过压控制电路的第三接线端分别连接所述前级电路的负输出端和所述后级电路的负输入端，所述过压控制电路的第四接线端连接所述开关电路的第二接线端；

所述开关电路的第三接线端与所述后级电路的正输入端连接。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述过压检测电路包括齐纳二极管，所述齐纳二极管的阴极与所述前级电路的正输出端连接，所述齐纳二极管的阳极与所述过压控制电路的第二接线端连接。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述过压控制电路包括晶闸管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述晶闸管的阳极分别连接所述齐纳二极管的阴极和所述开关电路的第一接线端，所述第一电阻跨接在所述晶闸管的阳极和阴极之间；

所述晶闸管的阴极通过所述第二电阻接地且连接所述开关电路的第二接线端；所述晶闸管的控制极通过所述第三电阻接地；

所述前级电路的负输出端和所述后级电路的负输入端均接地。

4.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述过压控制电路包括光电耦合器、第四电阻、第五电阻和第六电阻，所述光电耦合器中发光二极管的阳极连接所述齐纳二极管的阳极，所述光电耦合器中发光二极管的阴极通过所述第六电阻接地；所述光电耦合器中光电三极管的集电极分别连接所述齐纳二极管的阴极和所述开关电路的第一接线端，所述第四电阻跨接在所述光电耦合器中光电三极管的集电极和发射极之间；

所述光电耦合器中光电三极管的发射极通过所述第五电阻接地且连接所述开关电路的第二接线端；

所述前级电路的负输出端和所述后级电路的负输入端均接地。

5.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述开关电路包括金属氧化物半导体场效应MOS晶体管，所述MOS晶体管的源极连接所述齐纳二极管的阴极，所述MOS晶体管的漏极与所述后级电路的正输入端连接，所述MOS晶体管的栅极通过所述第二电阻接地。

6.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述开关电路包括金属氧化物半导体场效应MOS晶体管，所述MOS晶体管的源极与所述光电耦合器中光电三极管的集电极连接，所述MOS晶体管的漏极与所述后级电路的正输入端连接，所述MOS晶体管的栅极通过所述第五电阻接地。