[实用新型]一种光伏焊带有效
申请号: | 201320466223.8 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN203386786U | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 钱海鹏;于昊 | 申请(专利权)人: | 凡登(常州)新型金属材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213241 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光伏焊带 | ||
技术领域
本实用新型属于光伏焊带加工技术领域,特别涉及一种光伏焊带。
背景技术
随着世界经济的快速发展,能源消耗越来越大,世界各国都需求新能源的应用和普及。由于二氧化碳排放导致的温室气体效应致使全球气候变暖并引发自然灾害,世界各国对清洁的可再生能源的需求尤其强烈。在美国2007年次贷危机导致的全球危机蔓延和扩大以来,为刺激经济增长,各国都通过了更积极的鼓励使用可再生能源的措施。美国奥巴马政府提出在未来10年投资1500亿美元用于清洁能源;欧盟设定目标在2020年将可再生能源占使用能源的比例提高到20%;日本提出在2030年使70%以上的新建住宅安装太阳能电池板(约70GW)。为缓解光电产品国内需求不足,2009年3月26日,中国财政部宣布将推动实施“太阳能屋顶计划”示范工程。财政部、住房和城乡建设部联合出台的《关于加快推进太阳能光电建筑应用的实施意见》中明确提出,实施“太阳能屋顶计划”,对光电建筑应用示范工程予以资金补助、鼓励技术进步与科技创新、鼓励地方政府出台相关财政扶持政策、加强建设领域政策扶持等一系列原则措施。现阶段在经济发达、产业基础较好的大中城市积极推进太阳能屋顶、光伏幕墙等光电建筑一体化示范;积极支持在农村与偏远地区发展离网式发电,实施送电下乡等有关规定,更是给太阳能技术的应用指明了方向。以太阳能屋顶、光伏幕墙等光电建筑一体化为突破口,可能在短期内让人们看到应用太阳能的诸多好处,也有利于今后大面积推广,激发产业资本投资太阳能领域的积极性。各国的新能源政策或许将成为下一个影响我们此后15年世界发展的重要政策之一。2009年的哥本哈根气候会议再次唤醒、强化了人们关注清洁能源的意识。伴随新能源的应用和普及,光伏行业的迅猛增长势头得到进一步的加强和重视。
焊带是光伏组件焊接过程中的重要原材料,焊带质量的好坏将直接影响到光伏组件电流的收集效率,对光伏组件的功率影响很大。如何通过焊带的异构化,来增加电池片的转化率,降低碎片率,一直是焊带行业研究的课题之一。
中国专利CN101789452A给出了一种涂锡焊带,其包括铜带及其表面的涂锡层,涂锡层表面具有均匀分布的坑状体。这种焊带在一定程度上使太阳光在坑状体中发生漫反射,提高了接受太阳光的能量。但是,其坑状体仅发生漫反射,反射回电池片的太阳光比例很小,提高的转化率有限;此外,其凹坑是在涂锡过程中制备,会产生不均匀的焊料层,并会产生与电池片焊接不牢的现象,出现虚焊。
中国专利CN102569470A给出了一种在焊带表面制备垂直于焊带长度方向的V型槽,以此来降低电池片的隐裂和碎片率。但此专利焊带V型槽是垂直于长度方向且V型槽间无明显的间距,因此这种焊带在与电池片焊接时不稳定,焊接不牢。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有光伏焊带无法高效地将入射到焊带的太阳光反射到电池片,即使焊带表面有发生漫反射的凹坑,其往往反射比例较低,并且凹坑的制造会影响焊带的质量,使焊带带有凹坑的相对面产生突起;同时,凹坑的数量在很大程度上降低了焊带的焊接牢固性;另外,由于在焊带表面设置凹槽,会降低焊带的横截面积,因此,焊带的电阻率将增大,即电导率会有小幅度降低,这将不利于电池片的转换效率。本实用新型提供了一种光伏焊带,增加经焊带反射的太阳光在光伏电池组件的玻璃与空气界面层发生全反射的比例,发生全反射的太阳光重新参与光电转换,从而将电池组件的功率提高0.5%-2.5%,并在一定程度上能降低太阳能电池片焊接后的内应力,从而不会产生因为焊带的热胀冷缩导致的碎片;而且即使表面压制有凹槽,也能保证有效焊接的面积,从而保证了焊接的牢固性;同时,开设凹槽后,焊带的电导率受到的影响最小,符合实际需求。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种光伏焊带,包括导电基带,所述导电基带为金属单质或合金材料,其具有上、下两个宽表面,
所述导电基带的一个或两个宽表面压制有若干凹槽,相邻的所述凹槽之间留有基带平面;
当导电基带仅一个宽表面压制凹槽时,所述的凹槽深度是导电基带厚度的5%-50%;
当导电基带两个宽表面均压制凹槽时,所述的凹槽深度是导电基带厚度的5%-45%,且上、下宽表面凹槽最大深度总和不超过所述导电基带厚度的50%;
所述导电基带上的凹槽在所述导电基带宽表面沿导电基带长度方向呈规律性重复。一方面,使得导电基带上发生全反射的比例均匀分布;另一方面,使得基带平面均匀分布,从而更有利于焊接,同时,还能便于导电基带的加工;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的