[实用新型]一种高电流上升率的晶闸管芯片有效
| 申请号： | 201320460964.5 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN203415581U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王民安;王日新;汪杏娟;叶民强;黄富强;项建辉 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/04;H01L29/74 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 杨大庆 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 上升 晶闸管 芯片 | ||
1.一种高电流上升率的晶闸管芯片，包括N型硅单晶片构成的长基区N，在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2，在短基区P2上设置有阴极发射区（1）、短路点（8）和门极区（2）；所述短基区P1上设置有背面金属层（3），阴极发射区（1）和门极区（2）上设置有正面金属层（4）；其特征在于：所述的门极区（2）设置在阴极发射区（1）的中心位置，在门极区（2）和阴极发射区（1）间设置有隔离环（5）；所述门极区（2）包括用于焊接引线的焊接区（21）以及与该焊接区相连的长条型延长区（22）。
2.根据权利要求1所述的高电流上升率的晶闸管芯片，其特征在于：所述门极区（2）为蝌蚪型结构；蝌蚪型头部为焊接区（21），尾部为延长区（22）。
3.根据权利要求1所述的高电流上升率的晶闸管芯片，其特征在于：所述靠近门极区（2）的第一排短路点（8）与隔离环（5）的最小距离为0.5～2mm，第一排短路点间的距离为0.5～3mm。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的高电流上升率的晶闸管芯片，其特征在于：在短基区P1、P2上还焊接有用于保护芯片和方便焊接的保护电极（6），保护电极(6)上设置有比隔离环（5）大的通孔(7)。
5.根据权利要求1所述的高电流上升率的晶闸管芯片，其特征在于：所述隔离环（5）为二氧化硅保护的隔离环。
6.根据权利要求1所述的高电流上升率的晶闸管芯片，其特征在于：所述背面金属层（3）和正面金属层（4）为自里向外依次设置由钛、镍、银层结合而成的金属层。
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