[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320456567.0 申请日: 2013-07-29
公开(公告)号: CN203367291U 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 张明;郝昭慧;尹雄宣;王旭;李礼 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/41;H01L27/12
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展,显示器件的稳定性和显示效果越来越多的受到关注。在显示器件制造过程中,由于薄膜晶体管的有源层采用的半导体材料具有光电导效应,在有光状态与无光状态下其开态电流和关态电流等电学特性变化较大,即在有光状态下容易出现漂移等问题。同时半导体材料中的氢化非晶硅在可见光持续照射下,带隙中产生了新的硅悬挂键缺陷态,靠近导带侧的费米能级向价带方向移动,所需的活化能增加,电子寿命降低,其暗电导率和光电导率会随时间下降,使得其开态电流降低。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是:如何提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,能降低外界光线对薄膜晶体管的影响以及对过孔坡度角的要求,从而提高显示器的显示效果及稳定性。

(二)技术方案

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括多个像素区域,每个像素区域包含透光区域和薄膜晶体管,薄膜晶体管上设置有漏电极,透光区域设置有像素电极,所述薄膜晶体管表面对应有源层的位置设置有第一遮光层,薄膜晶体管表面对应漏电极的位置以及漏电极和像素电极之间的位置设置有第二遮光层,所述第二遮光层为导电遮光层,所述像素电极和薄膜晶体管的漏电极通过所述第二遮光层连接。

优选的,所述薄膜晶体管对应漏电极的位置设置有过孔结构,所述像素电极和薄膜晶体管的漏电极通过所述过孔结构由第二遮光层连接。

优选的,所述第一遮光层与第二遮光层相连接为同一遮光层。

优选的,所述阵列基板的像素电极与数据线走线之间设置有第三遮光层,像素电极与栅线之间设置第四遮光层。

优选的,所述第二遮光层覆盖所述第二遮光层与像素电极连接的一端。

本实用新型提供了一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括所述的阵列基板。

本实用新型还提供一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括所述的阵列基板。

(三)有益效果

本实用新型的阵列基板、显示面板及显示装置通过在所述薄膜晶体管表面对应有源层的位置设置第一遮光层,在薄膜晶体管表面对应漏电极的位置以及漏电极和透光区域像素电极之间的位置设置第二遮光层,从而阻挡住来自有源层上方的光照,防止由于光线影响所造成的器件性能的异常,提高了显示装置的显示效果及稳定性。同时由于第二遮光层为导电遮光层,实现了漏电极和像素电极的导通,使得对所述导电遮光层厚度的限制降低,不需要与像素电极厚度保持一致,从而降低了对过孔坡度角的要求。

附图说明

图1是本实用新型实施例阵列基板的结构示意图;

图2是本实用新型实施例阵列基板的剖面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。

本实用新型实施例的阵列基板如图1所示,阵列基板包括多个像素区域,每个像素区域包含透光区域101和薄膜晶体管102,薄膜晶体管102上设置有漏电极103,透光区域101设置有像素电极104,所述薄膜晶体管102表面对应有源层的位置设置有第一遮光层105,薄膜晶体管表面对应漏电极103的位置以及漏电极和透光区域像素电极104之间的位置设置有第二遮光层106,所述第二遮光层106为导电遮光层,所述像素电极104和薄膜晶体管102的漏电极103通过所述第二遮光层106连接。

本实施例中,第一遮光层和第二遮光层在制作时可以同步形成。遮光层的厚度可以由设计者根据情况自由设定,以达到良好遮光效果。

通过在所述薄膜晶体管表面对应有源层的位置及薄膜晶体管表面对应漏电极的位置以及漏电极和透光区域的像素电极之间的位置设置遮光层,由于遮光层不透光,从而阻挡住来自有源层上方的光照,防止由于光线影响所造成的器件性能的异常,提高了显示器的显示效果及稳定性。第二遮光层为导电遮光层,不仅实现了遮光的作用而且实现了漏电极和像素电极的导通,使得对所述导电遮光层厚度的限制降低,不需要与像素电极厚度保持一致,从而降低了对过孔坡度角的要求。

进一步的,所述薄膜晶体管102对应漏电极103的位置设置有过孔结构107,所述像素电极104和薄膜晶体管102的漏电极103通过所述过孔结构107由第二遮光层106连接。

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