[实用新型]具有特殊支架结构的发光二极体有效

专利信息
申请号: 201320456319.6 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN203406326U 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 简稚文;詹世雄 申请(专利权)人: 简稚文;詹世雄
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 深圳市万商天勤知识产权事务所(普通合伙) 44279 代理人: 王志明
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 特殊 支架 结构 发光 二极体
【权利要求书】:

1. 一种具有特殊支架结构的发光二极体,包括晶片(1)以及固定该晶片(1)的支架(9),所述晶片(1)底面的阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)与所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)接触并通过金属导电胶(8)固定连接导通,其特征在于:所述支架(9)相对于所述晶片(1)底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。

2.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)具有中间高两侧低的结构,所述晶体(1)及其下的阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)位于所述支架(9)中间高的位置,所述支架(9)两侧形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

3.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(1)底部的两侧设置有引流槽(11),该引流槽(11)形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

4.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(1)底部设置有若干贯通至所述支架(9)顶部电路的引流孔,该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

5.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)及其阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(1)底部设置有若干贯通至所述支架(9)底部电路的引流孔,该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

6.如权利要求5所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)底部电路延伸至所述支架(9)的侧面或正面。

7.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述阳极片(5)和阴极片(6)与所述阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理,该凹凸纹理形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

8.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)为固态金属。

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