[实用新型]具有特殊支架结构的发光二极体有效
申请号: | 201320456319.6 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN203406326U | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 简稚文;詹世雄 | 申请(专利权)人: | 简稚文;詹世雄 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市万商天勤知识产权事务所(普通合伙) 44279 | 代理人: | 王志明 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 特殊 支架 结构 发光 二极体 | ||
1. 一种具有特殊支架结构的发光二极体,包括晶片(1)以及固定该晶片(1)的支架(9),所述晶片(1)底面的阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)与所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)接触并通过金属导电胶(8)固定连接导通,其特征在于:所述支架(9)相对于所述晶片(1)底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。
2.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)具有中间高两侧低的结构,所述晶体(1)及其下的阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)位于所述支架(9)中间高的位置,所述支架(9)两侧形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
3.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(1)底部的两侧设置有引流槽(11),该引流槽(11)形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
4.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(1)底部设置有若干贯通至所述支架(9)顶部电路的引流孔,该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
5.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)及其阳极片(5)和阴极片(6)相对于所述晶片(1)底部设置有若干贯通至所述支架(9)底部电路的引流孔,该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
6.如权利要求5所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)底部电路延伸至所述支架(9)的侧面或正面。
7.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述阳极片(5)和阴极片(6)与所述阳极焊垫(3)和阴极焊垫(4)的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理,该凹凸纹理形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。
8.如权利要求1所述的具有特殊支架结构的发光二极体,其特征在于:所述支架(9)的阳极片(5)和阴极片(6)为固态金属。
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