[实用新型]一种用于晶体硅太阳能电池的焊带有效
| 申请号: | 201320455242.0 | 申请日: | 2013-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN203377239U | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
| 发明(设计)人: | 刘宝信;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
| 地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 晶体 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于晶体硅太阳能电池的焊带,属于太阳能领域。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能是一种安全可靠、经济实惠且容易获得的绿色能源。因此,太阳能电池的开发和应用受到越来越多的关注。
太阳光的光谱范围是250纳米到2500纳米,大体上紫外光占7%,可见光占45%,红外光占47%。然而,晶体硅电池对于太阳光的利用有限,尤其是对于波长大于1100纳米的光不能产生电子-空穴对形成电流,这部分光就会转变为热量,使晶体硅电池的工作温度升高,进而导致电池的电压和转换效率下降。
针对上述问题,现有技术中出现了将反光薄膜应用于太阳电池组件中的技术方案,来提高对太阳光的利用率。现有的方法就反光薄膜铺设的位置主要有两种,一是将反光薄膜铺设在电池与电池的间隙中,二是铺设在电池串和背板中间。然而,对于第一种方法,由于铺设在电池与电池间隙的反光膜在组件层压时极易移位,从而造成电池片碎片率的升高。对于第二种方法,铺设在电池和背板中间的反光膜,为了和背板以及电池更好的结合,必须在反光膜的两侧粘合EVA或类似材料,但是这相当于在现有组件结构中增加了一层EVA,必然增加组件的生产成本;而且穿透电池片的长波段太阳光有限,经反光膜再次返回到电池片也是有限的。
现有技术中,对于太阳电池焊带的优化主要是把焊带的一面做成V型槽或C型槽结构,通过光的内反射来增加光的利用率,起到增加组件功率的作用。但是,由于焊带被加工成槽型结构,该结构不易进行手工焊接,而必须采用自动焊接设备进行,同时,这种焊带本身的成本较高,因此应用也受到限制。
另一方面,上转换发光材料是一种可以将至少两个低能近红外光子转化成一个高能可见光光子的新材料,通过上转换材料可以最大限度的利用太阳光能量近一半的红外光。现有技术中,主要将上转换发光材料用于EVA或玻璃,但是这种方法同时也带来了新的问题:由于上转换材料多是含有稀土金属离子的无机氧化物陶瓷类材料,其本身不是透光材料,将其直接涂覆在玻璃表面或者混合在EVA中,会阻碍光的穿过,降低了玻璃和EVA的透光率。
发明内容
本实用新型目的是提供一种用于晶体硅太阳能电池的焊带。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于晶体硅太阳能电池的焊带,包括焊带本体,所述焊带本体上设有金属反光层,所述金属反光层上设有上转换发光颗粒层。
上文中,所述上转换发光颗粒层是现有技术,上转换发光颗粒可将近红外光转换为可见光,通过上转换发光颗粒对入射光波长的转换,将其转化为可见光后更有利于光生载流子的激发和收集,提高了对长波段光的利用率,提升了组件的输出功率。该上转换发光颗粒层不是致密的,呈颗粒状分布,从而使光线发生漫反射,进一步增加了入射光的利用率。
该上转换发光颗粒层可以采用涂覆的方式设置在金属反光层上,其颗粒大小由涂覆工艺决定。优选地,采用丝网印刷方法涂覆,颗粒大小由丝网网眼决定。
上述技术方案中,所述焊带本体和金属反光层之间通过粘结层连接固定。该粘结层在60~90度的温度范围内会发生软化,并与焊带粘接在一起,层压会进一步增加了两者的结合力。起到粘合和承载的作用。
优选的,所述粘结层为EVA胶膜层。
上述技术方案中,所述金属反光层为铝层或锡铝合金层。
上述技术方案中,所述金属反光层的厚度为10~30微米。
上述技术方案中,所述上转换发光颗粒层中上转换发光颗粒的直径为0.3~5 mm。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、本实用新型设计得到了一种新的用于晶体硅太阳能电池的焊带,通过在焊带表面设置金属反光层和上转换发光颗粒层,利用反光层对入射光的反射和上转换发光颗粒对长波段光的转换,提高了入射光的利用率,提升了组件的输出功率。
2、本实用新型的焊带上设置反射率极高的金属反光层,入射光在金属反光层和玻璃之间进行多次内反射,增加了入射光的利用率,提高了组件的输出功率。
3、本实用新型在反光层上设置上转换发光颗粒,这种颗粒状分布的上转换发光材料,可以使光线发生漫反射,进一步增加了入射光的利用率。
4、本实用新型结构简单,便于制备,且具有良好的可操作性、实用性,适于推广应用。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的结构示意图。
其中:1、EVA胶膜层;2、上转换发光颗粒层;3、金属反光层;4、焊带本体。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





