[实用新型]一种低介电损耗覆铜板

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子材料领域，更为具体地，涉及一种低介电损耗覆铜板。

背景技术

随着PCB行业迅速发展，电子信息产品信号的高频、高速传输技术要求越来越高，不仅要求覆铜板具有低而稳定的介电常数(Dk)和尽可能低的介电损耗(Df)，以保证信号的完整性和可靠性。而电子产品高频化以及无铅制程的发展，对覆铜板提出了不同的耐热性要求，传统的FR-4覆铜板材料已不适应现在的无铅制程的PCB行业。而随着目前3G手机市场的发展，高频高速印制线路板用于蜂窝电话基地站的电路模块的潜在市场巨大，而其中覆铜板作为电子元器件的载体，其性能决定了高端电子信息技术的高频、高速、及高可靠性等。聚四氟乙烯薄膜由于具有信号传递快、介电特性优越、绝缘层抗击穿强度高、成本低，聚四氟乙烯薄膜具有抗拉强度高、绝缘性好等优良的特点，未来将为高端高频覆铜板的开发重点。

发明内容

本实用新型针对上述不足，提供了一种低介电损耗覆铜板，该覆铜板可满足无铅制程，适合制作高层多层线路板。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案为：一种低介电损耗覆铜板，包括半固化层、聚四氟乙烯层、环氧胶粘剂层以及电解铜箔层，所述聚四氟乙烯层分为上聚四氟乙烯层和下聚四氟乙烯层，上聚四氟乙烯层通过环氧胶粘剂层与半固化层上表面粘接，下聚四氟乙烯层通过环氧胶粘剂层与半固化层下表面粘接，所述电解铜箔层分为上电解铜箔层和下电解铜箔层，上电解铜箔层通过环氧胶粘剂层与上聚四氟乙烯的上表面粘接，下电解铜箔层通过环氧胶粘剂层与下聚四氟乙烯的下表面粘接。

所述半固化层由1-8层半固化片组成。

所述聚四氟乙烯层为表面经过钠化处理的膜状结构。

所述聚四氟乙烯层厚度为50-100μm。

所述半固化片包括玻璃纤维布及附着于玻璃纤维布上表面和下表面的环氧树脂层。

所述环氧树脂层为环氧树脂添加促进剂、金属氧化物、缓流剂经氰酸酯高温固化而成的树脂层。

本实用新型具有以下优点：

本实用新型通过氰酸酯固化体系和聚四氟乙烯达到低介电常数和低介电损耗的设计要求，并且通过对聚四氟乙烯进行表面钠化处理， 同时采用特殊的环氧胶粘剂可以改善聚四氟乙烯与铜箔和环氧树脂的粘合性，而通过氰酸酯固化也可以提高覆铜板的耐热性，满足无铅制程的要求。

附图说明

图1为实施例所述的低介电损耗覆铜板结构图。

其中：1-上电解铜箔层，2-上聚四氟乙烯层，3-半固化片层，4-下聚四氟乙烯层，5-下电解铜箔层。

具体实施方式

实施方式：如图1所示，一种低介电损耗覆铜板，包括半固化层、聚四氟乙烯层、环氧胶粘剂层以及电解铜箔层，其中，半固化片层3包括1-8层半固化片，半固化片包括玻璃纤维布及附着于玻璃纤维布上表面和下表面的环氧树脂层，环氧树脂层为环氧树脂添加促进剂、金属氧化物、缓流剂经氰酸酯高温固化而成的树脂层，通过采用氰酸酯固化体系可提高覆铜板的耐热性，而氰酸酯介电常数低，可满足高频线路板的要求。聚四氟乙烯层分为上聚四氟乙烯层2和下聚四氟乙烯层4，为表面经过钠化处理的膜状结构，上聚四氟乙烯层2通过环氧胶粘剂层与半固化层3上表面粘接，下聚四氟乙烯层4通过环氧胶粘剂层与半固化层3下表面粘接，聚四氟乙烯层厚度为50-100μm，所述电解铜箔层分为上电解铜箔层1和下电解铜箔层5，上电解铜箔层1通过环氧胶粘剂层与上聚四氟乙烯层2的上表面粘接，下电解铜箔层通过环氧胶粘剂层与下聚四氟乙烯层的下表面粘接，聚四氟乙烯具有信号传递快、介电特性优越、绝缘层抗击穿强度高、成本低，聚四氟乙烯具有抗拉强度高、绝缘性好等优良的特点，通过加入聚四氟乙烯膜可以有效降低介电常数，减少介电损耗，满足高频线路板的要求。

其中，所述适合无铅制程的低介电损耗覆铜板半固化片由以下配方制得：

将溶剂、氢氧化铝填料、氰酸酯固化剂、缓流剂、环氧树脂、促进剂按重量比40～50：30～40：5～10：1～5：0.1～1高速搅拌混合而成的混合液，将胶液在171±0.5℃条件下的凝胶化时间调整至210±20 s，粘度调整至25±5 s。

将重量小于120g/m²的玻璃纤维布置于混合液中浸渍，然后在150 ℃～230 ℃温度下进行烘烤，再经冷却获得半固化片。