[实用新型]位查找电路、旁路转换缓冲器、存储器及微处理器有效

专利信息
申请号: 201320448505.5 申请日: 2013-07-25
公开(公告)号: CN203465714U 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 王丽娜 申请(专利权)人: 龙芯中科技术有限公司
主分类号: G06F9/30 分类号: G06F9/30
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100190 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 查找 电路 旁路 转换 缓冲器 存储器 微处理器
【权利要求书】:

1.一种位查找电路,其特征在于,包括位存储单元和至少两个位查找单元,所述位存储单元的输出端分别与所述至少两个位查找单元的控制端相连,以将所述位存储单元中的存储数据传送给所述至少两个位查找单元用于比较。 

2.根据权利要求1所述的位查找电路,其特征在于,所述位存储单元包括第一场效应管、第二场效应管和具有存储二进制数功能的交叉耦合反相器; 

所述第一场效应管和第二场效应管为第一类型场效应管; 

所述第一场效应管的控制端连接至写字线,所述第一场效应管的第一数据端用于接收待存储二进制数,所述第一场效应管的第二数据端连接至所述交叉耦合反相器的正相输入端; 

所述第二场效应管的控制端连接至所述写字线,所述第二场效应管的第一数据端用于接收反相待存储二进制数,所述第二场效应管的第二数据端连接至所述交叉耦合反相器的反相输入端。 

3.根据权利要求2所述的位查找电路,其特征在于,所述第一类型场效应管为n沟道场效应管。 

4.根据权利要求2所述的位查找电路,其特征在于,所述交叉耦合反相器包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管; 

所述第三场效应管和第四场效应管为第一类型场效应管,所述第五场效应管和第六场效应管为第二类型场效应管; 

所述第三场效应管、第四场效应管、第六场效应管和第五场效应管的各数据端顺次连接成环形; 

所述第四场效应管的控制端和第六场效应管的控制端连接,且与所述第三场效应管中与第五场效应管连接的数据端连接,并作为所述交叉耦合反相器的正相输入端与所述第一场效应管的第二数据端连接,还作为所述位存储单元的第一输出端与所述位查找单元对应的一控制端连接; 

所述第三场效应管的控制端和第五场效应管的控制端连接,并且与第四场效应管中与第六场效应管连接的数据端连接,还作为所述交叉耦合反相器的反相输入端与所述第二场效应管的第二数据端连接,还作为所述位存储单元的第二输出端与所述位查找单元对应的另一控制端连接。 

5.根据权利要求1所述的位查找电路,其特征在于,所述位查找单元的数量为两个,每个位查找单元包括第七场效应管、第八场效应管和第九场效应管,所述第七场效应管、第八场效应管和第九场效应管为第一类型场效应管; 

所述第七场效应管的控制端与所述位存储单元的第二输出端连接,所述第七场效应管的第一数据端用于接收第一待查找二进制数,所述第七场效应管的第二数据端与所述第八场效应管的第一数据端连接,所述第八场效应管的控制端与所述位存储单元的第一输出端连接,所述第八场效应管的第二数据端用于接收反相第一待查找二进制数; 

所述第七场效应管的第二数据端还与所述第九场效应管的控制端连接,所述第九场效应管的第一数据端接地,所述第九场效应管的第二数据端作为所述位查找单元的输出端,用于输出查找结果。 

6.根据权利要求4所述的位查找电路,其特征在于,所述第一类型场效应管为n沟道场效应管,所述第二类型场效应管为p沟道场效应管。 

7.根据权利要求5所述的位查找电路,其特征在于,所述第一类型场效应管为n沟道场效应管。 

8.一种旁路转换缓冲器,包括可寻址存储器阵列、静态存储阵列及写信号生成电路,其特征在于,所述可寻址存储器阵列包括多个权利要求1-7任一所述的位查找电路。 

9.一种存储器,包括旁路转换缓冲器、高速缓冲存储器、存储器地址生成器和多个存储元,其中,所述旁路转换缓冲器接收所述存储器地址生成器发送的虚拟地址的高位,并将所述虚拟地址转化为物理地址,其特征在于,所述旁路转换缓冲器采用权利要求8所述的旁路转换缓冲器。 

10.一种微处理器,包括控制器、运算器和存储器,其特征在于,所述存储器采用权利要求9所述的存储器。 

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