[实用新型]一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器

说明书

技术领域：

    本实用新型涉及GaAs晶体的生长装置，特别是一种能够有效提高GaAs晶体质量的用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器。

背景技术：

    GaAs晶体是一种重要的半导体材料，而冷壁VGF方法是生长大直径、高性能、低成本GaAs晶体的最佳手段。在生长时的热场分布无论是对GaAs晶体生长的成晶率，还是对GaAs晶体的电学性能都有极大的影响，为此得到一个合适的热场分布对GaAs晶体生长具有极为重要的意义。目前常用的方法是多级直筒式加热，这样在二个加热器接口处的温度容易形成冷点，不利于晶体生长，会严重影响GaAs晶体的产品质量。

发明内容：

本实用新型的目的是设计一种能够有效提升GaAs晶体产品质量的用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器。

本实用新型的技术方案是，一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器，保温罩，其特征在于：在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管。

本实用新型结构合理，使用效果好，能够大大的提高了GaAs晶体生长的成晶率和GaAs晶体的性能。

附图说明：

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式：

结合附图详细描述实施例，一种用于GaAs晶体生长的套筒式石墨加热器，它包括加热器2，保温罩1，在保温罩内设有加热器，位于上部的加热器与位于下部的加热器套接，两个相邻的加热器的连接部位部分重叠，在加热器内壁设置有匀热管3；本实施例还可以在加热器与单晶炉不锈钢水冷炉壁之间设置厚石墨保温层。本实用新型的结构避免了在俩个加热器接口处的温度不稳定，容易对GaAs晶体形成冷点的弊病，能够使得整个加热器形成一个温度稳定，控制灵活、分布合理的最佳热场分布。

本实用新型结构合理，使用效果好，能够大大的提高了GaAs晶体生长的成晶率和GaAs晶体的性能。