[实用新型]一种掩埋式势垒分压场效应管

权利要求书

1.一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：主要由背金层（1）、N+衬底（2）、掩埋层（3）、工作层（4）和焊区（5）组成；掩埋层（3）设置在N+衬底（2）的上方；第二N型外延层（4-1）位于掩埋层（3）的上方，焊区（5）设置在第二N型外延层（4-1）的上方；背金层（1）涂覆在N+衬底（2）的下表面；

掩埋层（3）由第一N型外延层（3-1）、良导体（3-2）、二氧化硅氧化层（3-3）和掩埋层保护玻璃（3-4）构成；网格状的良导体（3-2）全部内嵌在第一N型外延层（3-1）中，且网格状的良导体（3-2）在第一N型外延层（3-1）中呈战壕状矩阵式分布；每个良导体（3-2）的侧面和底面覆有二氧化硅氧化层（3-3）、顶面覆有掩埋层保护玻璃（3-4）；

工作层（4）由第二N型外延层（4-1）、多晶硅栅极（4-3）、栅氧化层（4-2）、体区（4-4）、源区（4-5）和栅极保护玻璃（4-6）构成；网格状的多晶硅栅极（4-3）的底部嵌入第二N型外延层（4-1）中，多晶硅栅极（4-3）的侧面和底面覆有栅氧化层（4-2），多晶硅栅极（4-3）的顶部覆有栅极保护玻璃（4-6）；体区（4-4）设置在第二N型外延层（4-1）的上、多晶硅栅极（4-3）的四周；每个体区（4-4）的上部设有源区（4-5）；

焊区（5）包括栅极和源极的焊区；栅极焊区和源极焊区设在栅极保护玻璃（4-6）上部，并通过开设在焊区下部的栅极和源极的接触孔（5-1）连接到多晶硅栅极（4-3）和源区（4-5）。

2.根据权利要求要求1所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述多晶硅栅极（4-3）的底部嵌入第二N型外延层（4-1）的上部。

3.根据权利要求要求1所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：每个多晶硅栅极（4-3）的正下方对应一个良导体（3-2）。

4.根据权利要求要求1所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述源区（4-5）呈回字形。

5.根据权利要求要求1所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述源极接触孔（5-1）在栅极保护玻璃（4-6）上呈矩阵式分布，并通过源极焊区（5）引出。

6.根据权利要求要求1所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述多晶硅栅极（4-3）以网格的形式连在一起，并通过栅极接触孔（5-1）从栅极焊区（5）引出。