[实用新型]基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器有效
| 申请号： | 201320427681.0 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN203350226U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 杨阳;徐永兵;王静静 | 申请（专利权）人： | 江苏海纳磁性纳米新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/82 | 分类号： | G01N27/82 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 元件 探伤 传感器 | ||
1.基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，用于检测金属表面或底部缺陷的磁探伤装置，其特征在于，包括：励磁机构（10）及传感器（20），所述传感器（20）为多个巨磁电阻元件组合而成，所述传感器（20）位于所述励磁机构（10）两磁极之间。
2.根据权利要求1所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，所述传感器（20）外周设有聚磁器（30）。
3. 根据权利要求2所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，所述聚磁器（30）为NiFe合金。
4. 根据权利要求3所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，所述聚磁器（30）为梯形块。
5. 根据权利要求4所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，设有两个所述聚磁器（30），分别位于所述传感器（20）与所述励磁机构（10）两磁极之间。
6. 根据权利要求1或5所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，所述励磁机构（10）包括一“C”形导磁连接体（101），及位于所述导磁连接体（101）两端的励磁器（102），所述两励磁器（102）形成所述述励磁机构（10）的两磁极。
7. 根据权利要求6所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，所述励磁器（102）为NdFeB永磁体。
8. 根据权利要求7所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，所述导磁连接体（101）与所述励磁器（102）通过铜片（103）连接。
9. 根据权利要求8所述的基于巨磁电阻元件的磁探伤传感器，其特征在于，于所述励磁器（102）两侧通过铜片（103）将其与导磁连接体（101）连接。
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