[实用新型]雨量传感器

权利要求书

1.一种雨量传感器，其特征在于，包括CPU模块、红外光发射模块、红外光接收模块、通信模块以及给所述CPU模块、所述红外光发射模块、所述红外光接收模块、所述通信模块提供工作电压的电源模块；

其中，

所述CPU模块包括微控制单元MCU；

所述红外光发射模块的输入端与所述微控制单元MCU的DA管脚连接；

所述红外光接收模块的输出端与所述微控制单元MCU的AD管脚连接；

所述通信模块与所述微控制单元MCU的TXD管脚和RXD管脚连接，所述通信模块包括通信管脚，所述通信管脚用于连接外部雨刮控制器的通信脚。

2.根据权利要求1所述的雨量传感器，其特征在于，所述电源模块包括稳压器、以及第一电容和第二电容；

所述稳压器的输入端接直流电压，所述直流电压经由所述稳压器后电压降低，降低后的直流电压由所述稳压器的输出端输出给所述CPU模块、所述红外光发射模块、所述红外光接收模块以及所述通信模块；

所述稳压器的输入端与所述直流电压的公共端经所述第一电容接信号地，所述稳压器的输出端经所述第二电容接信号地。

3.根据权利要求1所述的雨量传感器，其特征在于，所述红外光发射模块包括数模转换器DAC、第一运算放大器、N沟道金氧半场效晶体管MOSFET、红外光发射二极管以及第一电阻、第二电阻和第三电容；

所述数模转换器DAC的IN管脚与所述微控制单元MCU的DA管脚连接，OUT管脚与所述运算放大器的同相输入端连接，所述OUT管脚与所述运算放大器的公共端通过第一电阻接信号地；

所述第一运算放大器的反相输入端接所述N沟道金氧半场效晶体管MOSFET的源极，所述第一运算放大器的反相输入端和正相输入端通过所述第三电容连接，所述第一运算放大器的输出端与所述N沟道金氧半场效晶体管MOSFET的栅极连接；

所述N沟道金氧半场效晶体管MOSFET的漏极与所述红外光发射二极管的阴极连接，所述红外光发射二极管的阳极接正极电源，所述N沟道金氧半场效晶体管MOSFET的源极还通过所述第二电阻接信号地。

4.根据权利要求1所述的雨量传感器，其特征在于，所述红外线接收模块包括红外光接收二极管、交流放大电路、比较放大电路、以及第三电阻；

所述红外光接收二极管的阴极与所述电源模块的输出端连接，所述红外光接收二极管的阳极通过所述第三电阻接信号地，所述红外光接收二极管的阳极与所述第三电阻具有公共端，所述公共端接所述交流放大电路的输入端；

所述交流放大电路的输出端与所述比较放大电路的输入端连接，所述比较放大电路的输出端接所述微控制单元MCU的AD管脚。

5.根据权利要求4所述的雨量传感器，其特征在于，所述交流放大电路包括第二运算放大器，第四电阻、第五电阻、第四电容以及第五电容；

所述第二运算放大器的正相输入端与所述红外光接收二极管的阳极连接，所述第二运算放大器的反相输入端依次通过所述第四电阻、所述第四电容接信号地；

所述第五电阻与所述第五电容并联，并联后的公共端一端接所述第二运算放大器的反相输入端，另一端接所述第二运算放大器的输出端。

6.根据权利要求4所述的雨量传感器，其特征在于，所述比较放大电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、第六电阻、第六电容以及第三运算放大器；

所述第一分压电阻与所述第二分压电阻串联，串联后的第一分压电阻与第二分压电阻的一端与所述电源模块的输出端连接，另一端接信号地；串联后的第一分压电阻与第二分压电阻的公共端与所述第三运算放大器的反相输入端连接；

所述第六电阻与所述第六电容并联，并联后的公共端一端接所述第三运算放大器的反相输入端，另一端接所述第三运算放大器的输出端；

所述第三运算放大器的输出端接所述微控制单元MCU的AD管脚。

7.根据权利要求1所述的雨量传感器，其特征在于，所述通信模块包括LIN通信收发器芯片。

8.根据权利要求2所述的雨量传感器，其特征在于，所述稳压器为低压差线性稳压器LDO。