[实用新型]一种边缘电阻测试台

说明书

技术领域

本实用新型涉及电阻检测领域，具体涉及一种边缘电阻测试台。

背景技术

在太阳能电池生产过程中，刻蚀工序的目的是将硅片非扩散面及侧面P-N结以化学方法腐蚀掉，而检测刻蚀效果的方法是使用万用表测试刻蚀后硅片侧面两点间电阻，当电阻超过1000欧姆时，认为硅片合格；当电阻低于1000欧姆时，认为硅片欠刻，即不合格。整个测试为人工操作，两表笔间距离难于控制，同时表笔与硅片难于保证垂直，即表笔与硅片的接触面积不稳定，这些都会影响测试的准确性。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种操作简单且测试稳定的边缘电阻测试台。

技术方案：本实用新型所述的一种边缘电阻测试台，包括测试面板和支点，所述测试面板上设置凸起的两个支点，所述两个支点均设有将万用表表笔插入的凹洞，所述两个支点为相互绝缘的导体；将硅片放置在测试面板上且硅片的边缘靠置在两个支点上，支点中的凹洞以供万用表表笔插入，故，万用表表笔始终与硅片保持垂直，支点为导体，万用表表笔插入后可直接测量硅片边缘侧面两点间电阻，操作便捷，且可保证测量的准确性。

进一步，所述测试面板上设有滑轨，所述两个支点在所述滑轨中水平滑动，以便调整两支点之间的距离，以适应于各种规格硅片的测试需要。

为了防止硅片紧贴在测试面板上，所述测试面板上开有用于通气的凹槽，便于硅片从测试面板上取下。

进一步，所述测试面板的底部通过支架安装在底座上，支架和底座用于支撑测试面板。

有益效果：使用本实用新型对硅片进行边缘电阻测量，操作简单，可大大提升工作效率，硅片与支点之间的接触面积固定，测试准确性高，在测试的同时可有效防止硅片污染，降低硅片碎片率。

附图说明

图1为实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。

实施例：本实用新型一种边缘电阻测试台，如图1所示，包括测试面板1、支点2、支架3和底座4，测试面板1的底部通过支架3安装在底座4上，用于支撑测试面板1，测试面板1上靠近底边处设有滑轨，凸起的两个支点2可在滑轨中水平滑动，调整两支点2之间适于测量边缘电阻的距离，两个支点2均设有将万用表表笔5插入的凹洞，两个支点2为金属材料的导体，互相绝缘；将硅片放置在测试面板1上且硅片的边缘靠置在两个支点2上，支点2中的凹洞以供万用表表笔5插入，可直接测量硅片边缘侧面两点间电阻，万用表表笔5始终与硅片保持垂直，接触面积稳定，测试准确性强，操作简便；测试面板1上开有用于通气的凹槽6，测试完成后防止硅片紧贴在测试面板1上难以取下。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。