[实用新型]一种EVA膜有效
| 申请号： | 201320418546.X | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN203521444U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;李成利;徐海燕 | 申请（专利权）人： | 昆山永翔光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/049 | 分类号： | H01L31/049 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 eva | ||
【权利要求书】：
1.一种EVA膜，其特征在于：所述EVA膜具有凹凸网格结构，所述凹凸网格结构的表面形状为多边形，所述的多边形为三角形、矩形、菱形、五边形、六边形、八边形、十边形、十二边形中的一种，所述凹凸网格结构的密度为2-6格/10mm2，所述凹凸网格结构的凹部深度为1-30μm。
2.根据权利要求1所述的一种EVA膜，其特征在于：所述EVA膜一面具有凹凸网格结构。
3.根据权利要求1所述的一种EVA膜，其特征在于：所述EVA膜一面具有凹凸网格结构，另一面为光面。
4.根据权利要求1所述的一种EVA膜，其特征在于：所述凹凸网格结构的表面形状为矩形。
5.根据权利要求1所述的一种EVA膜，其特征在于：所述凹凸网格结构的截面形状为矩形或梯形。
6.根据权利要求1所述的一种EVA膜，其特征在于：所述凹凸网格结构的凹部深度为5-15μm。
7.根据权利要求3所述的一种EVA膜，其特征在于：所述EVA膜光面的粗糙度小于3μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
