[实用新型]一种穿通型瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201320412260.0 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN203386746U | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;曾杰;郭维;钟雷 | 申请（专利权）人： | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 穿通型 瞬态 电压 抑制器 | ||
1.一种穿通型瞬态电压抑制器，包括P衬底（01），其特征在于：
所述P衬底（01）上表面设有一层氧化层（02），所述氧化层（02）从中部划分为阳极区域和阴极区域；
所述 P衬底（01）上表面位于阳极区域内设有一具有第二导电类型的N阱（03），所述N阱（03）内设有一具有第二导电类型的第一N+有源注入区（05）；
所述 P衬底（01）上表面位于阴极区域内设有一具有第一导电类型的P阱（04），所述P阱（04）内设有一具有第二导电类型的第二N+有源注入区（06）；
所述第一N+有源注入区（05）上设有连接到器件阳极的阳极金属连接片（07）；
所述第二N+有源注入区（06）上设有连接到器件阴极的阴极金属连接片（08）。
2.根据权利要求1所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：所述P衬底（01）的掺杂浓度在1×1015~1×1016 atom/cm3。
3.根据权利要求1所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：所述P阱（04）与设置在其内部的第二N+有源注入区（06）之间的距离在0.5μm~1.5μm之间。
4.根据权利要求1所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：所述氧化层（02）的厚度为0.8μm~1.2μm，且氧化层（02）嵌入到P衬底（01）内部的深度为0.1μm~0.3μm。
5.根据权利要求1所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：所述N阱（03）的掺杂浓度在7×1018~1×1019 atom/cm3之间。
6.根据权利要求1所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：所述P阱（04）的掺杂浓度在9×1017~5×1019atom/cm3之间。
7.根据权利要求1所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：所述第一N+有源注入区（05）和第二N+有源注入区（06）的掺杂浓度相同，均在9×1019~1×1021 atom/cm3之间。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：将两个或两个以上的穿通型瞬态电压抑制器并联。
9.根据权利要求8所述的穿通型瞬态电压抑制器，其特征在于：两个或两个以上的穿通型瞬态电压抑制器并联是将各穿通型瞬态电压抑制器阳极金属连接片（07）相连接以及将各穿通型瞬态电压抑制器阴极金属连接片（08）相连接。
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