[实用新型]一种双路表贴高速光电耦合器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光电耦合器，尤其是一种双路表贴高速光电耦合器。

背景技术

随着中国航天事业的发展，航天用户对半导体器件高可靠的要求日益突出。此前光电耦合器内部，芯片与载体之间、内盖板与载体之间的粘接，多为导电胶烧结工艺。但是在长期存储中导电胶会发生老化现象，而且还会缓慢释放有害气体。随着存储时间增加，会造成内引线出现严重的氧化和锈蚀，最终导致器件失效。因此，为提高器件的稳定性与可靠性，将导电胶烧结工艺改为共晶焊工艺势在必行。

实用新型内容

本实用新型提供了一种对射式、抗干扰的双路表贴高速光电耦合器。

实现本实用新型目的的一种双路表贴高速光电耦合器，包括陶瓷管座，所述陶瓷管座上设有两个凹槽，凹槽外设有内盖板，内盖板的下方设有发光芯片，所述发光芯片上设有金丝与内盖板相连，所述凹槽底部设有光电集成芯片，所述光电集成芯片通过硅铝丝与陶瓷管座相连；两个内盖板外部设有一个外盖板。

本实用新型的一种双路表贴高速光电耦合器的有益效果如下：

本实用新型的一种双路表贴高速光电耦合器，内部应用高速红外发光二极管芯片与高速光电集成电路芯片相耦合，对射式光传输结构。金属陶瓷全密封封装，质量保证等级为特军、超特军级。输出与TTL、CMOS电路完全兼容，抗干扰性强，最高传输速率10MB/s。

附图说明

图1为本实用新型的一种双路表贴高速光电耦合器的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型的一种双路表贴高速光电耦合器，包括陶瓷管座1，所述陶瓷管座1上设有两个凹槽，凹槽外设有内盖板2，内盖板2的下方设有发光芯片4，所述发光芯片4上设有金丝5与内盖板2相连，所述凹槽底部设有光电集成芯片6，所述光电集成芯片6通过硅铝丝7与陶瓷管座1相连；两个内盖板2外部设有一个外盖板3。

本实用新型的一种双路表贴高速光电耦合器的优点如下：

本实用新型的一种双路表贴高速光电耦合器，内部应用高速红外发光二极管芯片与高速光电集成电路芯片相耦合，对射式光传输结构。金属陶瓷全密封封装，质量保证等级为特军、超特军级。输出与TTL、CMOS电路完全兼容，抗干扰性强，最高传输速率10MB/s。

上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。