[实用新型]发光二极管像素单元电路及显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种发光二极管像素单元电路及显示面板。

背景技术

在显示技术领域，有源矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）显示装置以其超薄、抗震性能好、可视角度大、响应时间短、低温性好、发光效率高、可制成柔性显示器等多种优点，逐渐受到人们的关注。图1(a)是现有技术中的N型薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）驱动有源矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）基本像素电路结构，图1(b)是现有技术中的P型TFT驱动AMOLED基本像素电路结构。图1(a)和图1(b)中的VDATA为数据电平信号，VSCAN为扫描信号，VDD为高电压电平信号，VSS为低电压电平信号，T1、T2为薄膜晶体管，C1为电容，D1为发光二极管，图1(a)和图1(b)中的电路适用于所有类型晶体管，包括耗尽型TFT，但该像素电路不具有阈值电压补偿功能，不能解决由于工艺均匀性导致的阈值电压均一性问题和有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，OLED）驱动发光均一性问题。

氧化物TFT是大尺寸AMOLED的发展方向，氧化物TFT的器件特性大都具有耗尽型的特点，即N型阈值电压为负。图2为现有技术中N型耗尽TFT的I_ds-V_gs特性曲线，其中，I_ds为TFT漏极与源极之间的电流，V_gs为TFT栅极与源极之间的电压。由图2可以看出N型耗尽TFT的最大特点是阈值电压小于0。

图3（a）为现有技术中常见具有阈值电压补偿功能的AMOLED像素驱动电路，驱动薄膜晶体管T1的栅极为g，源极为s，漏极为d，C为存储电容，D1为发光二极管，VINI为初始电平信号，VDD为高电压电平信号，VSS为低电压电平信号，DATA为数据电平信号，G_n分别为薄膜晶体管T2和T4的栅极控制信号，G_n-1为薄膜晶体管T5的栅极控制信号，EM分别为薄膜晶体管T3和T6的栅极控制信号，在电压编程阶段，如图3（b）所示，首先切断T1与高电压电平信号VDD和低电压电平信号VSS的联系，将存储电容接T1栅极g的一端充电至初始电平电压V_INI，存储电容接T1源极s的一端充电至数据电平电压V_DATA，然后将驱动薄膜晶体管T1的栅极g与漏极d连接（即，使图3（a）中的晶体管T4导通）组成二极管连接方式进行放电，即将存储电容两端电压由V_INI-V_DATA放电至驱动薄膜晶体管T1亚阈导通状态V_TH。其中，V_TH表示T1的阈值电压。当驱动薄膜晶体管为一般增强型特性时，阈值电压为正，如图4（a）所示，存储电容两端电压可以正常放电至V_TH，实现阈值电压补偿。但是，当驱动薄膜晶体管为耗尽型特性时，阈值电压为负，如图4（b）所示，存储电容两端电压通过二极管连接的驱动薄膜晶体管放电时，驱动薄膜晶体管的源漏电压变为零截止时，依然未放电达到亚阈导通状态，即存储电容两端电压为0，而不是V_TH（V_TH<0），因此，像素驱动阈值电压补偿失效，其中图4（a）和图4（b）中的V_ds表示TFT漏极与源极之间的电压。

综上所述，耗尽型TFT若采用传统N型TFT的AMOLED像素驱动电路设计，在采用二极管连接方式补偿阈值电压时，由于阈值电压为负值，TFT进入亚阈饱和截止之前，源漏电压为零而提前截止，从而失去阈值电压补偿功能。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED像素单元电路，以及显示面板，用于实现阈值电压补偿功能。

本实用新型实施例提供的一种有源矩阵有机发光二极管AMOLED像素单元电路，包括发光模块、驱动模块、发光控制模块、阈值补偿模块、数据电压写入模块和初始化模块；其中，

驱动模块，用于驱动发光模块；

发光控制模块，用于选通发光模块以使所述发光模块发光；

阈值补偿模块，用于对驱动模块进行阈值电压补偿；

数据电压写入模块，用于给驱动模块输入数据电压；

初始化模块，用于将阈值补偿模块初始化。