[实用新型]盖板自动定位装置有效
申请号: | 201320400806.0 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN203456429U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 王丹名;孙泉钦;林伟;黄力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盖板 自动 定位 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及定位技术领域,尤其涉及一种盖板自动定位装置。
背景技术
阵列基板PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子体增强化学气相沉积法)工艺中,需要将玻璃基板放置在下部电极板上,四边被盖板覆盖住边缘才能完成工艺,参考图1,图中标注“a”代表盖板,标注“b”代表玻璃基板,标注“c”代表下部电极板,本文所有附图中关于标注“a”、“b”、“c”代表的含义都一致。
而每一张玻璃基板在PECVD完成一次工艺时,都会在下部电极与盖板之间,在垂直方向完成一次放置,分离循环。
由于PECVD工艺工程中具有高温、导电、强腐蚀等特性,盖板只能凭借自身重力放置在下部电极板上。但是若盖板和下部电极板之间长期循环分离、放置动作会导致盖板与下部电极板之间发生不可预计的位移,导致盖板不能有效地覆盖住玻璃边缘,参考图2,当玻璃没有被盖板覆盖而出现缝隙时,在此位置的下部电极与盖板间则容易发生异常放电,导致两者报废,造成加工成本的增加。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型的目的是提供一种盖板自动定位装置,以克服现有技术中没有特定的盖板定位装置,导致盖板和下部电极板之间因出现缝隙而容易发生异常放电,造成两者报废的缺陷。
(二)技术方案
为解决上述问题,本实用新型提供一种盖板自动定位装置,包括: 盖板主体和下部电极板;
基板设置于所述下部电极板上,所述基板的面积小于下部电极板的面积;
所述盖板主体为边框形,其覆盖所述基板的边缘区域,所述盖板主体下表面设有台柱,所述台柱接触所述下部电极板;
所述台柱上设有朝向下部电极板的凸起,所述下部电极板上设有与凸起相对应的凹槽,通过所述凸起置于所述凹槽中,使得盖板主体与下部电极板进行对位。
进一步地,所述凸起的端部为圆角设计。
进一步地,所述凹槽的截面为梯形。
进一步地,所述凹槽的内表面底角采用圆角设计。
进一步地,所述下部电极板连接驱动单元,在驱动单元的作用下,所述下部电极板进行上升或下降运动。
(三)有益效果
本实用新型提供的盖板自动定位装置,采用在盖板的台柱上设置凸起以及在下部电极板上设置凹槽的设计,通过两者之间的配合,使得在重力作用下,实现盖板与下部电极板间不会发生相对位移,确保盖板覆盖玻璃基板边缘的有效率,进而最大程度地延长部件的使用寿命,进而节省加工成本。
附图说明
图1为现有技术PECVD工艺中盖板对位示意图;
图2为现有技术中盖板对位时出现的缝隙示意图;
图3为本实用新型实施例盖板自动定位装置结构示意图;
图4为本实用新型实施例盖板自动定位装置对位过程示意图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对本实用新型的技术方案做进一步详细的描述,但不仅仅限于下面的实例。
如图3所示,本实用新型提供一种盖板自动定位装置,包括:盖板主体和下部电极板;
基板设置于所述下部电极板上,所述基板的面积小于下部电极板的面积;
盖板主体为边框形,其覆盖所述基板的边缘区域,所述盖板主体下表面设有台柱,所述台柱接触所述下部电极板;
台柱上设有朝向下部电极板的凸起,所述下部电极板上设有与凸起相对应的凹槽,通过所述凸起置于所述凹槽中,使得盖板主体与下部电极板进行对位。
其中,为了降低盖板和下部电极板两者之间的静止摩擦力,设置凸起的端部为圆角,其中,凹槽的截面为梯形,凹槽的内表面底角采用圆角设计。
其中,下部电极板连接驱动单元,在驱动单元的作用下,所述下部电极板进行上升或下降运动。
具体实施工艺方法如下:
参考图4,工艺前:玻璃基板放置在下部电极板上。盖板未与下部电极板接触,悬挂于下部电极板的正上方。
参考图3,工艺时:下部电极板在驱动单元的驱动下进行上升,将悬挂在工艺腔壁上的盖板托起,凸起接触到凹槽的斜壁,盖板在自身重力的作用下,自动地下滑到凹槽槽底,实现自动定位功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造