[实用新型]一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备有效
申请号: | 201320397113.0 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN203474963U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 钮应喜;杨霏;于坤山 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;国网智能电网研究院 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B25/20;C30B25/10;C30B25/14 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 碳化硅 外延 化学 沉积 设备 | ||
1.一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备,设备腔体由内向外依次为石墨支撑台、石墨软毡层、石英壁层和加热感应线圈,所述设备腔体还包括一个固定于石墨支撑台上弧形气流阻挡环。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于所述弧形阻挡环的宽0.8~1.2cm,半径比衬底晶片的半径大1~1.5cm,设置高度为0.3~0.7cm。
3.如权利要求1所述的设备,其特征在于所述阻挡环的弧度为90~180度。
4.如权利要求1所述的设备,其特征在于所述阻挡环通过石墨螺丝固定于支撑台上。
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