[实用新型]横向晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术，尤其涉及一种横向晶体管。

背景技术

在功率集成电路，如BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)集成电路中，往往会集成大电流的双扩散金属氧化物晶体管（Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，简称DMOS），包括纵向双扩散金属氧化物晶体管（Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，简称VDMOS），和横向双扩散金属氧化物晶体管（Laterally Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，简称LDMOS）。LDMOS由于其更容易与互补金属氧化物晶体管（Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS）集成在同一芯片中，而被广泛使用。

LDMOS的源极和漏极平行交错分布，源极和漏极的工作电流分别通过源极金属引线和漏极金属引线引出。LDMOS工作在大电流状态时，则需要源极金属引线和漏极金属引线都具有足够大的电流通过能力，否则源极金属引线和/或漏极金属引线可能会被烧毁。当集成电路中只包含一层金属引线时，通常的，源极金属引线和漏极金属引线各自分布在源极和漏极的上方并分别汇合到一处，呈梳状分布。当集成电路中包含的金属引线多于一层时，传统方法是，第一层金属引线采用梳状分布，而其它层金属引线采用块状分布，不同层的金属引线之间采用通孔相连。

图1为现有技术中集成电路中LDMOS双层金属引线的布线图，如图1所示。LDMOS至少包括三层导电结构，第一层为包括源极100和漏极104图案的源漏层，第二层和第三层分别包括源极引线和漏极引线，可称为第一引线层和第二引线层。各层导电结构之间以绝缘层相互绝缘。第一引线层的源极引线101和漏极引线105同层设置，且分别为梳状，布设在对应的源极100和漏极104的上方，通过孔103与第二引线层的源极引线102和漏极引线106分别相连。第二引线层的源极引线102和漏极引线106为大面积的块状，无论是集成电路板的后续制作还是制作完成之后的试验及投入使用，当该第二引线层的温度产生变化时，其热应力较大，易引起变形，可靠性低。

实用新型内容

本实用新型提供一种横向晶体管，以解决现有的横向晶体管的金属引线的热应力大，易引起变形，可靠性低的问题。

本实用新型提供一种横向晶体管，包括源漏层、第一引线层和第二引线层，所述源漏层包括源极和漏极，所述第一引线层包括第一源极引线和第一漏极引线，所述第二引线层包括第二源极引线和第二漏极引线，其中第一源极引线、第一漏极引线、第二源极引线和第二漏极引线的形状分别为梳状。

如上所述的横向晶体管，所述梳状的第一源极引线和第二源极引线的形状至少部分交叠；

所述梳状的第一漏极引线和第二漏极引线的形状至少部分交叠。

如上所述的横向晶体管，梳状第二源极引线中间的梳齿长度小于梳状第一源极引线中间的梳齿长度，沿梳齿的长度方向，两者的交叠范围为50%-90%，所述梳状第二源极引线最外侧的梳齿长度大于等于所述第一源极引线最外侧的梳齿长度，所述梳状第二源极引线的汇聚边宽度大于所述梳状第一源极引线的汇聚边宽度；

梳状第二漏极引线的梳齿长度小于梳状第一漏极引线的梳齿长度，且梳状第二漏极引线的汇聚边宽度大于梳状第一漏极引线的汇聚边宽度，沿梳齿的长度方向，两者的交叠范围为50%-90%。

本实用新型提供的横向晶体管，当第二引线层的温度产生变化时，由于其第一源极引线、第一漏极引线、第二源极引线和第二漏极引线的形状分别都采用梳状结构，其热应力小，不易引起变形，可靠性高。

附图说明

图1为现有技术中集成电路中LDMOS双层金属引线的布线图；

图2为本实用新型实施例提供的横向晶体管的结构及布线图。

附图标记说明：

100：源极；101：第一源极引线；

102、201：第二源极引线；

103：孔；104：漏极；

105：第一漏极引线；

106、202：第二漏极引线。

具体实施方式