[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示装置市场占据了主导地位。

由于感光树脂钝化层具有表面平坦，低介电常数的特点，因此，在TFT-LCD阵列基板的实际生产中，通常引入感光树脂钝化层以进一步提高TFT-LCD产品的开口率和显示亮度，降低TFT-LCD产品的信号延迟，最终提高产品的竞争力。

ADS（Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术）模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

如图1所示，以ADS模式的TFT-LCD阵列基板为例，该阵列基板包括：衬底基板1、多个位于衬底基板1之上的薄膜晶体管单元和GOA（Gate Driver on Array，阵列基板行驱动）单元，通常阵列基板的各个图层都是通过构图工艺形成的，而每一次构图工艺通常包括掩模、曝光、显影、刻蚀和剥离等工序。

现有阵列基板在制造过程中，形成有源层4的图形之后，依次形成沟道保护层7和感光树脂钝化层8的图形，因此，阵列基板的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，容易导致产品缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板及一种显示装置，能够有效地降低阵列基板的制造成本，大大地简化制造工艺，进一步提高产品的良品率。

为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种阵列基板，包括：衬底基板和位于衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，

所述薄膜晶体管单元包括：位于所述衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层之上且与所述第一栅极位置相对的有源层，位于所述有源层之上的源极和漏极，所述源极和漏极之间设置有间隙，以及位于所述源极和漏极之上的感光树脂钝化层。

优选的，本实用新型提供的阵列基板还包括：位于所述衬底基板之上的多个阵列基板行驱动单元，其中，所述阵列基板行驱动单元包括：位于所述衬底基板之上的第二栅极，位于所述第二栅极之上的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层之上的金属引线；所述第一栅极和第二栅极位于同一图层，所述金属引线与所述源极和漏极位于同一图层。

优选的，本实用新型提供的阵列基板进一步包括：位于所述感光树脂钝化层之上的第一透明电极，位于所述第一透明电极之上并覆盖基板的第二钝化层，位于所述第二钝化层之上且具有狭缝结构的第二透明电极。

优选的，所述第一透明电极为板状电极或狭缝电极。

一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的阵列基板。

在本实用新型技术方案中，由于感光树脂钝化层位于源极和漏极之上，因此，在阵列基板的制造过程中，形成包括源极和漏极的预图形之后，省去了沟道保护层的制造，对比于现有技术，有效地降低了阵列基板的制造成本，大大地简化了制造工艺，有效地提高了TFT-LCD产品的显示亮度，提高了产品的良品率。

附图说明

图1为现有阵列基板的截面结构示意图（ADS模式）；

图2为本实用新型阵列基板一实施例的的截面结构示意图（以ADS模式为例）；

图3为本实用新型阵列基板一实施例的制造方法的流程示意图（以ADS模式为例）；

图4为本实用新型阵列基板一实施例的制造方法的另一流程示意图（以ADS模式为例）；

图5为本实用新型阵列基板一实施例在制造过程中形成栅极的图形后的截面结构示意图；

图6为本实用新型阵列基板一实施例在制造过程中形成有源层的图形后的截面结构示意图；

图7为本实用新型阵列基板一实施例在制造过程中形成栅极绝缘层的图形后的截面结构示意图；