[实用新型]互补式逆变焊接电源驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种逆变驱动电路，尤其涉及一种互补式逆变焊接电源驱动电路。

背景技术

随着大功率晶体管IGBT、MOSFET等在逆变电源中应用的日益广泛，作为IGBT、MOSFET应用技术的一个重要方面--驱动技术也得到了快速的发展，并且演变出种类繁多的拓扑形式。驱动技术在IGBT、MOSFET等大功率晶体管的应用中起着至关重要的作用，其影响到整个逆变电源的稳定性、效率和使用寿命等性能，所以针对不同的逆变电源拓扑形式、功率等级以及工作频率，需要选择合适的驱动技术方案、拓扑形式和元器件参数。当前，驱动电路种类繁杂，驱动波形也各种各样，但有的没有做到最优化，有的电路过于复杂。因此，有必要对现有的互补式逆变焊接电源驱动电路进行改进，使得驱动更稳定，抗干扰性更好，且通用性更好。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种互补式逆变焊接电源驱动电路，不但使得驱动更稳定、抗干扰性和通用性更好，而且能够简化电路结构，减少外围器件，更易于布线并提高驱动性能。

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种互补式逆变焊接电源驱动电路，包括脉冲变压器T1，所述脉冲变压器T1的原边绕组输入端和逆变桥相连，副边绕组输出端至少和一路交流脉冲整形电路相连，其中，所述逆变桥包括第一逆变桥和第二逆变桥，所述第一逆变桥的输出端和脉冲变压器T1的原边绕组第一输入端相连，所述第二逆变桥的输出端和脉冲变压器T1的原边绕组第二输入端相连；所述第一逆变桥和第二逆变桥分别输入两路互补的直流驱动脉冲信号，输出频率和脉宽与所述直流驱动脉冲信号相同的交流脉冲信号。

上述的互补式逆变焊接电源驱动电路，其中，所述第一逆变桥包括两个串联场效应晶体管M1和M2，所述场效应晶体管M1的栅极通过限流电阻R1和直流驱动脉冲信号IN1相连，M1的集电极和电源端VCC相连，M1的发射极和M2的集电极作为输出端OUT1和脉冲变压器T1原边绕组的第一输入端相连；所述场效应晶体管M2的栅极通过限流电阻R2和直流驱动脉冲信号IN1相连，M2的发射极通过串联的去磁二极管D7和限流电阻R5接地；

所述第二逆变桥包括两个串联场效应晶体管M3和M4，所述场效应晶体管M3的栅极通过限流电阻R3和直流驱动脉冲信号IN2相连，M3的集电极和电源端VCC相连，M3的发射极和M4的集电极作为输出端OUT2和脉冲变压器T1原边绕组的第二输入端相连；所述场效应晶体管M4的栅极通过限流电阻R4和直流驱动脉冲信号IN2相连，M4的发射极通过串联的去磁二极管D7和限流电阻R5接地。

上述的互补式逆变焊接电源驱动电路，其中，所述两个串联场效应晶体管中一个为N沟道场效应晶体管，另一个为P沟道场效应晶体管。

上述的互补式逆变焊接电源驱动电路，其中，所述交流脉冲整形电路为一路单端整形输出电路、两路半桥整形输出电路或四路全桥整形输出电路。

上述的互补式逆变焊接电源驱动电路，其中，每一路交流脉冲整形电路包括场效应晶体管Q1，所述场效应晶体管Q1的基极通过限流电阻R8和脉冲变压器T1副边绕组的一个输出端S1_1以及交流接地端G1相连，集电极和脉冲变压器T1副边绕组的另一输出端S1_2相连，发射极通过电阻R10和交流输出端E1相连，所述场效应晶体管Q1的集电极和发射极之间连接有二极管D8；所述交流输出端E1和交流接地端G1之间设有由电容C2和电阻R12组成的滤波电路。

上述的互补式逆变焊接电源驱动电路，其中，所述场效应晶体管Q1为N沟道型场效应晶体管。

本实用新型对比现有技术有如下的有益效果：本实用新型提供的互补式逆变焊接电源驱动电路，通过采用两路逆变桥并分别输入两路互补的直流驱动脉冲信号形成互补逆变桥，不但使得驱动更稳定、抗干扰性和通用性更好，而且能够简化电路结构，减少外围器件，更易于布线并提高驱动性能。

附图说明

图1为本实用新型互补式逆变焊接电源驱动电路方框示意图；

图2为本实用新型的用于逆变焊接电源的逆变桥电路结构示意图；

图3为本实用新型用于逆变焊接电源的交流脉冲整形电路结构示意图；

图4为本实用新型用于逆变焊接电源的带两路交流脉冲整形电路的驱动电路结构示意图；

图5为本实用新型互补式逆变焊接电源驱动电路的输出驱动波形图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。

图1为本实用新型互补式逆变焊接电源驱动电路方框示意图。