[实用新型]一种改进的盐碱地植物种植系统有效

专利信息
申请号: 201320386756.5 申请日: 2013-07-01
公开(公告)号: CN203446253U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 秦升益;刘春雨 申请(专利权)人: 北京仁创科技集团有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 100085 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进 盐碱地 植物 种植 系统
【权利要求书】:

1.一种改进的盐碱地植物种植系统,包括设置在盐碱地中的种植沟(6),所述种植沟(6)的内部由下向上填充有透气防渗层(1)、保护层(2)、找平层(3)、防护层(4)和种植土层(5),其特征在于, 

所述种植沟(6)的侧壁(7)为防水侧壁; 

所述种植沟内沿其长度方向间隔设置有若干集水井(9),所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁,所述集水井(9)的底部位于所述种植土层(5)内。 

2.根据权利要求1所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述种植土层(5)与所述防护层(4)相接触的至少部分底面与水平面形成一夹角。 

3.根据权利要求2所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述种植土层(5)与所述防护层(4)相接触的至少部分底面沿所述种植沟(6)的宽度方向倾斜设置,并与水平面形成一夹角。 

4.根据权利要求3所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述种植沟(6)内所述种植土层(5)在其宽度方向上地势低的一端设置有所述集水井(9)。 

5.根据权利要求2所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述种植土层(5)与所述防护层(4)相接触的至少部分底面沿所述种植沟(6)的长度方向倾斜设置,并与水平面形成一夹角。 

6.根据权利要求1-5任一所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于, 

所述种植沟(6)的底面、所述透气防渗层(1)、所述保护层(2)、找平层(3)和/或防护层(4)平行于所述种植土层(5)与所述防护层相接触的底面。 

7.根据权利要求6所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述防护层(4)为透水砖层。 

8.根据权利要求7所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述透水砖上设置有第一凸部(81)和第二凸部(82),所述第一凸部(81)和所述第二凸部(82)形成插接结构。 

9.根据权利要求8所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述保护层(2)为无纺布层,所述找平层(3)为细土和/或沙子层。 

10.根据权利要求9所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于, 

所述透气防渗层(1)为透气防渗沙层。 

11.根据权利要求10所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述种植土层(5)为客土层或盐碱土层。 

12.根据权利要求11所述的盐碱地植物种植系统,其特征在于,所述种植土层(5)的上表面不低于所述盐碱地的地表面(10)。 

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