[实用新型]阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201320384072.1 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN203337971U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 成军;陈海晶;姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源区，其特征在于，
所述薄膜晶体管区和显示区还包括透明导电层，所述透明导电层在薄膜晶体管区构成薄膜晶体管的源极和漏极，在显示区构成像素电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述源极上的源过渡层和位于所述源过渡层上的源连接层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极、源过渡层、源连接层图案相同。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源过渡层的材料为重掺杂的非晶硅；所述源连接层为钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛、铜中的一种或多种材料形成的单层或多层复合叠层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管区。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源区的材料为金属氧化物半导体。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述有源区上的刻蚀阻挡区。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7中任意一项的阵列基板。
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