[实用新型]一种大功耗芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体内存封装技术领域，具体涉及一种大功耗芯片封装结构，这种结构有效解决了大功耗芯片在键合BGA封装中的散热问题。

背景技术

传统芯片的功耗一般不超过0.5W，而用于键合BGA封装结构中的大功耗芯片功耗为2～5W，由于功耗较传统芯片增加了4～10倍，相应的散热问题也就凸显出来，传统的键合塑封结构已经不能满足大功耗芯片的散热，在使用过程中，由于发热量很大，容易出现散热不良，会导致元器件损坏率提升，可靠性不良。现有的一些技术改进是通过增加散热片的封装结构能部分解决大功耗芯片散热的问题，如PBGA、FlipChip等，但对人员的素质，机台的种类，材料工艺复杂度高，产能偏低，这种封装技术带来的成本远大于成熟低价的键合塑封封装结构。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种不必要改变封装形式或额外增设散热片换封装结构，而造成封装成本的增加，便能解决传统塑封体键合封装构造的大功率芯片散热不良的问题的大功耗芯片封装结构。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种大功耗芯片封装结构，其特征在于，包括：

一基板，具有相对的一顶面和一底面；基板的内部为基材，基板表面为刻蚀好的金属线路层，所述金属线路层上还涂覆有阻焊层；

芯片，配置于所述基板的顶面上；在芯片的正下方、基板的阻焊层上设有多个绿油开窗，所述绿油开窗区域暴露的金属线路层直接与芯片接触；

设于基板上的多个过孔，设于芯片下方；

多个散热锡球，配置于基板的底面，所述散热锡球焊接于PCB板；

封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。

作为优化，所述绿油开窗的形状为分散的圆弧状开窗。

作为补充优化，所述绿油开窗为半径为150um的圆形，数量为9个，呈九宫格排列，位于芯片的正下方，距离芯片外边沿100um框内。

作为优化，所述绿油开窗内区域全为金属线路层，无裸露的基材。

作为优化，所述过孔内镀实心铜或者填满铜浆，用来增加导热效率。

实用新型原理：

本实用新型的封装热传导原理是利用芯片正下方的导电银浆和基板接触的金属特质，在银浆材料的选取上选取较高热传导系数的材料，传导热能至封装外部的散热锡球，再经由散热锡球传导至PCB，最终经由PCB线路表面将热能散发出去。我们采取对封装基板阻焊层进行部分开窗处理，增大芯片正下方的开窗面积，使得基板的金属线路层暴露出来，增大金属的传热面积，增加芯片下基板的过孔数量，增加锡球数量，于此同时增加工作芯片对应PCB位置的过孔数量。当芯片正常工作时产生的热能可以较快速的从阻焊开窗下面的金属线路层传导出去。

本实用新型是在芯片下基板增加的锡球数量及阻焊开窗的区域为GND信号，增加接地球后可以有效降低高速信号的回流路径，提高系统信号完整性和电源完整性。可以结合PCB的协同设计，进一步有效地提高芯片的散热。

实用新型优点：

本实用新型有着较低工艺复杂度及可观的成本对比优势，与现有的主流键合塑封封装技术相比，对于大功耗封装芯片的散热效果更好，能够显著降低芯片表面结温温差，对于半导体制造工艺则完全是成熟的工艺流程。而与其它提高散热效率的封装技术相比较，可以提供更具成本优势的封装产品。

附图说明

图1为本实用新型大功耗芯片封装结构的剖面图；

图2为本实用新型一优选实施例的绿油开窗示意图；

图3为硅核到空气的热阻系数与散热孔数量的关系图。

其中，1、基板，2、阻焊层，3、芯片，4、绿油开窗，5、金属线路层，6、过孔，7、锡球，8、绝缘树脂，9、金线，10、基材。

具体实施方式

以下结合附图及一优选实施例对本实用新型的技术方案作进一步的说明。

实施例：

如图1所示：一种大功耗芯片封装结构，包括：一基板1，具有相对的一顶面和一底面；基板1的内部为基材10，基板1表面为刻蚀好的金属线路层5，金属线路层5上还涂覆有阻焊层2；

还包括芯片3，配置于所述基板1的顶面上；在芯片3的正下方、基板1的阻焊层2上设有多个绿油开窗4，所述绿油开窗4区域暴露的金属线路层5直接与芯片3接触；

还包括设于基板1上的多个过孔6，设于芯片3下方；

还包括多个散热锡球7，配置于基板1的底面，所述散热锡球7焊接于PCB板；

封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂8。