[实用新型]发送部分射频接收前端电路有效
申请号: | 201320369510.7 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN203289414U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 黄兰 | 申请(专利权)人: | 成都网动光电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谢敏 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发送 部分 射频 接收 前端 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路,更具体的说是涉及一种发送部分射频接收前端电路。
背景技术
无线遥控作为工业无线电控制、安保报警系统、家用电器无线控制、玩具无线控制、车辆的无线遥控开关、车辆无线防盗遥控等,由于其操作方便,其应用范围十分广泛。现有的家用电器和私家车遥控发射器大多是便携的手持式遥控器,其无线信号在发送时,其频率的稳定度和对温度的依赖性对信号发射和接收的整体性能至关重要。
实用新型内容
本实用新型提供一种发送部分射频接收前端电路,采用芯片MAX1472,其基于晶振的结构调整深度更广,频率稳定更快,且对温度的依赖性较低,使得该电路的性能稳定。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
发送部分射频接收前端电路,它包括芯片MAX1472,所述的芯片MAX1472的引脚XTAL2和引脚XTAL2之间连接有晶振,所述的芯片MAX1472的引脚GND和引脚PAGND均接地,所述的芯片MAX1472的引脚VDD连接在VDD上,且引脚VDD上连接有电容C4,所述的电容C4的另一端接地,所述的芯片MAX1472的引脚PAOUT上连接有外围电路。
更进一步的技术方案是:
所述的外围电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C5、电容C6、电容C7、电感L1、电感L2和天线,所述的电容C5、电感L2、电容C7依次相连,且电容C7的另一端连接在芯片MAX1472的引脚PAOUT上,电容C5的另一端接地,所述的电容C5与电感L2相连的一端连接有天线,所述的电感L2与电容C7连接的一端上连接有电容C6,所述的电容C6的另一端接地,所述的电感L1的一端连接在芯片MAX1472的引脚PAOUT上,另一端同时与电容C1、电容C2、电容C3相连且同时连接在VDD上,所述的电容C1、电容C2和电容C3的另一端接地。
所述的VDD为3.0V。
所述的电容C1和电容C4均为100nF。
所述的电容C2为220pF。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型采用芯片MAX1472,芯片MAX1472是一款以晶振为基准的锁相环VHF/UHF发送器,其频率稳定更快,并且对温度的依赖性较低,进一步的增强该电路稳定性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的发送部分射频接收前端电路,它包括芯片MAX1472,所述的芯片MAX1472的引脚XTAL2和引脚XTAL2之间连接有晶振,所述的芯片MAX1472的引脚GND和引脚PAGND均接地,所述的芯片MAX1472的引脚VDD连接在VDD上,且引脚VDD上连接有电容C4,所述的电容C4的另一端接地,所述的芯片MAX1472的引脚PAOUT上连接有外围电路。
所述的外围电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C5、电容C6、电容C7、电感L1、电感L2和天线,所述的电容C5、电感L2、电容C7依次相连,且电容C7的另一端连接在芯片MAX1472的引脚PAOUT上,电容C5的另一端接地,所述的电容C5与电感L2相连的一端连接有天线,所述的电感L2与电容C7连接的一端上连接有电容C6,所述的电容C6的另一端接地,所述的电感L1的一端连接在芯片MAX1472的引脚PAOUT上,另一端同时与电容C1、电容C2、电容C3相连且同时连接在VDD上,所述的电容C1、电容C2和电容C3的另一端接地。
所述的VDD为3.0V。
所述的电容C1和电容C4均为100nF。
所述的电容C2为220pF。
本实用新型采用芯片MAX1472,其是一款以晶振为基准的锁相环VHF/UHF发送器,用于300MHz至450MHz频段发送OOK/ASK数据。芯片MAX1472的频率温度更快且温度的依赖性较低,避免了发送器中常见的问题,以进一步的增强该电路的温度性能。
外围电路用于防止外部的干扰,进一步的增强整个电路的抗干扰能力。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。
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