[实用新型]一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池

权利要求书

1.一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，包括由上到下依次层叠的受光面电极、受光面透明导电层、P型非晶硅层、受光面本征非晶硅层、N型晶体硅层、背光面本征非晶硅层、N型重掺杂非晶硅层、背光面透明导电层、背光面电极，所述P型非晶硅层、所述受光面本征非晶硅层与所述N型晶体硅层形成太阳能电池器件的正面异质PN结，所述N型晶体硅层、所述背光面本征非晶硅层与所述N型重掺杂非晶硅层形成太阳能电池器件的背面电场层。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，所述受光面透明导电层的厚度为1～50nm。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，所述P型非晶硅层的厚度为1～50nm。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，所述受光面本征非晶硅层的厚度为1～30nm。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，所述N型晶体硅层的厚度为1～300μm。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，所述背光面本征非晶硅层的厚度为1～30nm。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，所述N型重掺杂非晶硅层的厚度为1～50nm。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜硅、晶体硅异质结双面太阳能电池，其特征在于，所述背光面透明导电层的厚度为1～50nm。