[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示面板主要由阵列基板，对向基板，以及位于该两基板之间的液晶分子组成；其中，阵列基板上设置有呈矩阵排列的亚像素单元，每个亚像素单元都设置有薄膜晶体管（TFT）以及与薄膜晶体管相连的像素电极，对向基板上设置有公共电极和与各亚像素单元一一对应的彩色滤光片。液晶显示面板在对盒时需要将对向基板上的各彩色滤光片与阵列基板上的各亚像素单元进行对位，在对位时容易出现对位误差，为了避免对位误差的产生，出现了将彩色滤光片直接设置在阵列基板上的结构（COA，CF on Array）。

目前，现有的COA结构大多是将彩色滤光片直接简单的叠加在阵列基板上，以高级超维场开关（ADS，Advanced Super Dimension Switch）模式的COA结构为例，如图1所示，其阵列基板上的结构包括：依次设置在衬底基板101上的栅极102和公共电极线103，栅绝缘层104，有源层105，源极106和漏极107，第一绝缘层108，黑矩阵109，彩色滤光片110，像素电极111，第二绝缘层112，以及公共电极113。其中，公共电极113通过贯穿栅极绝缘层104、第一绝缘层108、彩色滤光片110以及第二绝缘层112的过孔a与公共电极线103电性相连。

上述结构的阵列基板在制备时需要使用10道掩膜板（Mask）进行构图，需要使用Mask进行构图的步骤具体为：制备栅极102和公共电极线103的图形，有源层105、源极106和漏极107的图形，栅极绝缘层104和第一绝缘层108的图形，黑矩阵109的图形，彩色滤光片110的图形，像素电极111的图形，第二绝缘层112的图形，公共电极113的图形，其中，由于彩色滤光片110一般是由三原色（红，绿，蓝）交叉排列的单色滤光片组成的，因此需要分别使用3道Mask构图进行构图。

在上述结构中，不透光的公共电极线103与栅极102同层设置，一方面会占用各亚像素单元的开口区域，影响了开口率，另一方面，公共电极113需要通过较深的过孔a与公共电极线103电性相连，由于该过孔a贯穿的栅极绝缘层104、第一绝缘层108、彩色滤光片110以及第二绝缘层112的材料不尽相同，在制备过程需要多次构图才能形成，这也增加了整体制备工艺的难度。

综上所述，现有COA结构的ADS模式阵列基板存在制备工艺难度较大，开口率较低的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以提高COA结构的开口率且可以降低制备难度。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管薄膜晶体管，以及位于所述薄膜晶体管上的电极结构，所述电极结构包括相互绝缘的像素电极和公共电极，还包括：

位于所述薄膜晶体管上方且在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的黑矩阵；

所述黑矩阵与所述公共电极电性相连，用于向所述公共电极提供公共电极信号。

本实用新型实施例提供的一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板。

本实用新型实施例的有益效果包括：

本实用新型实施例提供的一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管薄膜晶体管，以及位于薄膜晶体管上的电极结构，电极结构包括相互绝缘的像素电极和公共电极，还包括：位于薄膜晶体管上方且在衬底基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的黑矩阵；黑矩阵与公共电极电性相连，用于向公共电极提供公共电极信号。由于采用黑矩阵复用公共电极线的功能，与公共电极电性相连向其提供公共电极信号，相对于现有技术中单独设置与栅极同层的公共电极线，可以减少各亚像素单元开口区域的占用，提高阵列基板的开口率。并且，由于将作为公共电极线的黑矩阵设置在薄膜晶体管的上方，还可以减少黑矩阵与公共电极连接时所需过孔所贯穿的膜层，也降低了制备工艺的难度。

附图说明

图1为现有COA结构的ADS模式阵列基板的结构示意图；

图2a至图2c分别为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意意图；

图3为本实用新型实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；

图4a至图4f为本实用新型实施例提供的制备方法中通过一次构图工艺形成公共电极和黑矩阵的图形的各步骤的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。