[实用新型]一种芯片供电保护电路

说明书

技术领域

本实用新型公开了一种芯片供电保护电路，特别涉及一种利用P沟道场效应管来防止芯片电源反接的保护电路。

背景技术

在电源管理产品的工作使用过程中，有时候会发生电源反接的情况，一旦反接，芯片的寄生二极管将导通，产生非常大的反向电流，导致芯片烧坏。传统的电源反接保护电路是在被保护的电器前端连接二极管，利用二极管对电流的反向阻断特性，对电源反接起保护作用。但由于二极管存在压降问题，使得这种方案在低电压情况下的应用受到明显限制。在输入直流电源时，用户不小心将正负极性接反，则可能造成设备损坏，从而造成经济损失。

发明内容

针对上述现有技术存在的缺陷和不足，本实用新型的目的在于，提供一种芯片供电保护电路，保证电子设备不受因电源反接而损坏，以减少使用过程中可能造成的经济损失。

为了实现上述任务，本实用新型采用如下的技术解决方案：

一种芯片供电保护电路，包括电源接线端、瞬态抑制二极管、稳压二极管、滤波电容、P沟道场效应管、限流电阻和芯片接线端，所述的电源接线端V+和V-通过导线分别与外接电源的正、负极相连；所述的瞬态抑制二极管D1接在电源接线端V+和V-两端；所述的稳压二极管D2的负极与芯片接线端Vout+相连；所述的滤波电容C1接在电源接线端V+和V-两端，C2连接在芯片接线端Vout+和Vout-两端；所述的P沟道场效应管Q的漏极D与电源接线端V+相连，其源极S与芯片接线端Vout+相连，其栅极G与稳压二极管的正极相连；所述的限流电阻R接在稳压二极管D2的正极与芯片接线端Vout-的两端。

本实用新型的有益效果是：

当正常接线时，正极线端V+和负极接线端V-分别接电源正极和负极，正电压经过P沟道场效应管Q，将稳压二极管D2反向击穿，使稳定的正电压施加在场效应管的栅极G上，使场效应管Q导通。此时，场效应管的导通内阻很小，电路近似短路，电源输出就可以正常工作。

当电源极性反接时，电源的负极接到了正接线端V+，电源正极接到负接线端V-。此时，场效应管Q的栅极加上了负电压，场效应管截至，电流无回路，有效避免了芯片电路烧坏，减少可能造成的经济损失。

该电路结构简单、成本低廉，可以有效保护电源供电的各种电子设备不受因电源反接而造成的损坏，减少使用过程中可能出现的经济损失，适用于电路或芯片电源的反接保护。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的解释说明。

图1 是本实用新型的一种结构示意图。

具体实施方式

实施例1如图1中所示，包括电源接线端、滤波电容、P沟道场效应管、瞬态抑制二极管、稳压二极管、限流电阻和芯片接线端，所述的电源接线端V+和V-通过导线分别与外接电源的正、负极相连；所述的滤波电容C1接在电源接线端V+和V-两端，C2连接在芯片接线端Vout+和Vout-两端；所述的P沟道场效应管的漏极D与电源接线端V+相连，其源极S与芯片接线端Vout+相连，其栅极G与稳压二极管D2的正极相连；所述的瞬态抑制二极管D1接在电源接线端V+和V-两端；所述的稳压二极管D2的负极与芯片接线端Vout+相连；所述的限流电阻R接在稳压二极管D2的正极与芯片接线端Vout-的两端。在实际应用中，限流电阻R的数值不能过小，以防止电流过大烧坏电子元器件，一般选择33kΩ，滤波电容需要较高的耐压值，因此建议C1、C2分别取值为100u/50V, 220n/50V，瞬态抑制二极管D1的型号一般选择SMAJ58CA，稳压二极管D2的型号一般选择 IN5245。