[实用新型]具有改良型缓冲器电路的桥式转换器有效
申请号: | 201320362724.1 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN203368332U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 梁添祥;吴臻员 | 申请(专利权)人: | 群光电能科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新北市五*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改良 缓冲器 电路 转换器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种桥式转换器,特别是涉及一种具有改良型缓冲器电路的桥式转换器。
背景技术
传统的尖峰电压消除电路是通过在二次侧电路上与晶体管开关连接的二极管之后设置一电阻;由于在交换式电源供应器的设计上,功率都较大,因此通过此种电阻设置方式来消除尖峰电压,因为功率较大,因此所需要的电阻也需要较大,所以容易使电源供应器温度过高、能量损耗过大,但整体效率却不高。
实用新型内容
为改善上述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种具有改良型缓冲器电路的桥式转换器。
为达成本实用新型的上述目的,本实用新型的具有改良型缓冲器电路的桥式转换器应用于一电源装置及一负载装置,该具有改良型缓冲器电路的桥式转换器电性连接至该电源装置及该负载装置,该具有改良型缓冲器电路包含:一变压器,该变压器包含一一次侧绕组、一第一二次侧绕组及一第二二次侧绕组;一第一二极管,该第一二极管电性连接至该第一二次侧绕组;一二次侧第一开关单元,该二次侧第一开关单元电性连接至该第一二次侧绕组、该第一二极管及该负载装置;一第一电容,该第一电容电性连接至该第一二极管、该二次侧第一开关单元及该负载装置;一第二二极管,该第二二极管电性连接至该第二二次侧绕组、该第一二极管及该第一电容;一第二电容,该第二电容电性连接至该第一二极管、该第二二极管、该第一电容、该二次侧第一开关单元及该负载装置;一二次侧第二开关单元,该二次侧第二开关单元电性连接至该第二二次侧绕组、该第二二极管、该第一电容、该第二电容、该二次侧第一开关单元及该负载装置;一直流转直流转换单元,该直流转直流转换单元电性连接至该第一二极管、该第二二极管、该第一电容及该第二电容;一第三电容,该第三电容电性连接至该直流转直流转换单元、该第一电容、该第二电容、该二次侧第一开关单元、该二次侧第二开关单元及该负载装置;及一电阻,该电阻电性连接至该直流转直流转换单元、该第三电容及该负载装置。
再者,还包含:一抗流器,该抗流器电性连接至该第一二次侧绕组、该第二二次侧绕组、该电阻及该负载装置。
再者,还包含:一第四电容,该第四电容电性连接至该抗流器、该电阻、该第一电容、该第二电容、该第三电容、该二次侧第一开关单元、该二次侧第二开关单元及该负载装置。
再者,还包含:一控制单元,该控制单元电性连接至该二次侧第一开关单元及该二次侧第二开关单元。
再者,还包含:一一次侧第一开关单元,该一次侧第一开关单元电性连接至该控制单元、该电源装置及该一次侧绕组。
再者,还包含:一一次侧第二开关单元,该一次侧第二开关单元电性连接至该控制单元、该电源装置、该一次侧绕组及该一次侧第一开关单元。
再者,还包含:一一次侧第三开关单元,该一次侧第三开关单元电性连接至该控制单元、该电源装置、该一次侧绕组及该一次侧第一开关单元。
再者,还包含:一一次侧第四开关单元,该一次侧第四开关单元电性连接至该控制单元、该电源装置、该一次侧绕组、该一次侧第二开关单元及该一次侧第三开关单元。
其中该控制单元为一微处理器或一微控制器。
其中该二次侧第一开关单元为一金氧半场效晶体管、一双极性接面晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管或一硅控整流器;该二次侧第二开关单元为一金氧半场效晶体管、一双极性接面晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管或一硅控整流器;该一次侧第一开关单元为一金氧半场效晶体管、一双极性接面晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管或一硅控整流器;该一次侧第二开关单元为一金氧半场效晶体管、一双极性接面晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管或一硅控整流器;该一次侧第三开关单元为一金氧半场效晶体管、一双极性接面晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管或一硅控整流器;该一次侧第四开关单元为一金氧半场效晶体管、一双极性接面晶体管、一绝缘栅极双极性晶体管或一硅控整流器。
本实用新型的效果在于使桥式转换器的工作温度降低、能量损耗降低,并提高桥式转换器的整体效率。
附图说明
图1为本实用新型的具有改良型缓冲器电路的桥式转换器方块图。
附图标记
10:具有改良型缓冲器电路的桥式转换器
20:电源装置 30:负载装置
102:变压器 104:第一二极管
106:二次侧第一开关单元 108:第一电容
110:第二二极管 112:第二电容
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