[实用新型]一种发光二极管的外延片结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体发光技术领域，具体地说，涉及一种发光二极管的外延片结构。

背景技术

随着社会的发展，人们越来越重视节能环保，因此发光二极管被广泛的推广和使用，如LED灯。目前的大功率蓝光LED的外延结构，大多采用的是蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次成型有：GaN缓冲层、N-GaN接触层、发光层、P-GaN接触层、透明导电层。该外延片结构由于GaN层在生长时，GaN与蓝宝石AI₂O₃晶格不十分匹配，造成GaN有一定的晶格缺陷，这些缺陷将导致半导体的P-N结发生隧道击穿，降低了二极管的抗静电能力，容易失效；影响其性能参数。不能满足单颗的大功率的照明要求。

发明内容

本实用新型的目的在于解决现有技术的不足，提供一种发光二极管的外延片结构，具有该外延片结构的发光二极管的抗静电能力强，照明功率大。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种发光二极管的外延片结构，包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。

进一步地，所述金刚石衬底层的厚度为80~100um。

进一步地，GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层。

进一步地，所述发光层为InGaN/GaN发光层。

进一步地，所述下GaN接触层为n型GaN接触层，上GaN接触层为P型GaN接触层。

进一步地，所述上GaN接触层为n型GaN接触层，下GaN接触层为P型GaN接触层。

本实用新型在实施时，下GaN接触层和上GaN接触层分别为P型、n型的一种。

本实用新型取得的有益效果为：本实用新型采用金刚石衬底层，可以避免GaN生长的晶体缺陷，另外还设计了透明导电层，可以增加发光层的透光率。增大发光功率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

附图标记为：

1——金刚石衬底层                   2——低温GaN缓冲层

3——高温GaN缓冲层              4——下GaN接触层

5——发光层                              6——上GaN接触层

7——透明导电层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步地说明。

实施例1：。

一种发光二极管的外延片结构，包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。

进一步地，所述金刚石衬底层的厚度为80~100um。

本实用新型采用金刚石材料作为衬底层，金刚石的晶格与GaN的晶格参数较为接近，这样可以减少GaN缓冲层在金刚石衬底材料上生长时的晶格缺陷，为了让GaN缓冲层能够较好的生长，金刚石衬底层的厚度通过多次试验后，设置为80~100um。

进一步地，GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层。

为了让下GaN接触层能够在较高温度下较好的生长，将GaN缓冲层分为低温层和高温层，分别在两个不同的温度下生长，以使得高温GaN缓冲层与下GaN接触层的生长温度相近或相同。

其中，所述发光层为InGaN/GaN发光层。

所述下GaN接触层为n型GaN接触层，上GaN接触层为P型GaN接触层。

实施例2：一种发光二极管的外延片结构，与实施例1不同之处在于：所述上GaN接触层为n型GaN接触层，下GaN接触层为P型GaN接触层。

本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。