[实用新型]一种滤波器件及电磁波设备有效
申请号: | 201320353541.3 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN203367451U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 深圳光启创新技术有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P1/207 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 刘显扬;黄晓笛 |
地址: | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滤波 器件 电磁波 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及射频元器件及其设备,更具体地说,涉及一种谐振子、谐振腔、滤波器件及电磁波设备。
背景技术
传统金属谐振子滤波器体积小且可实现较低频率的谐振,但是体积小会导致无法承受较高的功率。传统的介质谐振子滤波器可以承受高功率,但是如果要实现低频谐振,则介质谐振子的体积以及金属腔的体积会比较大,不满足滤波器小型化的需求。如何设计出一种谐振频率低、体积小且耐高功率的谐振子及其滤波器,是需要解决的一个问题。
发明内容
为了解决现有技术中的问题,本实用新型提供了一种谐振频率低、体积小且耐高功率的滤波器件及电磁波设备。
本实用新型提供了一种滤波器件,包括谐振腔和位于所述谐振腔内的谐振子本体,还包括位于所述谐振子本体顶部和谐振腔内顶壁之间以隔离二者的绝缘层。
作为本实用新型的进一步改进,所述绝缘层覆盖所述谐振子本体的顶部。
作为本实用新型的进一步改进,所述谐振子本体为导电谐振子、复合谐振子或螺旋谐振子。
作为本实用新型的进一步改进,所述导电谐振子为导电材料制成的谐振筒。
作为本实用新型的进一步改进,所述复合谐振子包括介质谐振筒和设置在所述介质谐振筒内壁或外壁上的所述导电谐振筒。
作为本实用新型的进一步改进,所述复合谐振子包括介质谐振筒和附着在所述介质谐振筒内壁或外壁上的导电层。
作为本实用新型的进一步改进,所述滤波器件为腔体滤波器或双工器。
本实用新型还提供一种电磁设备,包括信号发射模块、信号接收模块以及滤波器件,所述滤波器件的输入端与所述信号发射模块连接,输出端与信号接收模块连接,所述滤波器件为上述的滤波器件。
作为本实用新型的进一步改进,所述电磁设备为通信系统、导航系统、定位系统、追踪系统或测量系统。
作为本实用新型的进一步改进,所述电磁设备为基站、飞行器、船、车、雷达或卫星。
本实用新型的有益效果是:通过上述方案,在谐振子本体的顶部加设隔离谐振子本体、谐振腔的绝缘层,可避免谐振子本体和谐振腔相接触,谐振子本体和谐振腔无直接对应表面,从而使滤波器件具有较高的功率容量,有利于通过大功率指标测试,并且具有体积小、谐振频率低的优点。
附图说明
图1是本实用新型一种滤波器件的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。
图1中的附图标号为:谐振子本体1;绝缘层2;谐振腔3。
如图1所示,一种滤波器件,包括谐振子本体1、容纳谐振子本体1的谐振腔3以及绝缘层2,所述绝缘层2由绝缘材料制成,所述绝缘层2设置在所述谐振子本体1的顶部,用于离谐振子本体1、谐振腔3内表面的顶壁,避免谐振子本体1和谐振腔3相接触,谐振子本体1和谐振腔3无直接对应表面,从而使谐振子具有较高的功率容量,有利于通过大功率指标测试,并且具有体积小、谐振频率低的优点。这里的滤波器件可以是腔体滤波器,也可以是双工器或其他能够实现滤波的无源器件。
如图1所示,所述绝缘层2覆盖所述谐振子本体1的顶部。
上述的谐振子本体可以是现有技术中各种适用于上述滤波器件的谐振子。在一实施例中,该谐振子本体为微波陶瓷制成的介质谐振子;在另一实施例中,谐振子本体为导电材料制成的谐振筒状的导电谐振子,或者也可以是导电材料制成的螺旋形的螺旋谐振子。导电材料可以是金属或合金,也可以是可导电的非金属材料。介质材料是指介电常数大于1的非导电材料,作为谐振子本体的介质材料优选介电常数高、例如介电常数大于30的非导电材料,例如微波陶瓷等。
在其他实施例中,如图1所示,谐振子本体1为复合谐振子,其包括介质材料制成的介质谐振筒11,还包括通过电镀、粘接等工艺附着在介质谐振筒内壁(也可以是外壁上)的导电层;当导电层达到一定厚度成为筒状,构成导电谐振筒12,其可成为一个独立的部件内嵌或外套于介质谐振筒11上。
如图1所示,所述绝缘层2为介电常数大于1的的固态介质材料制成,所述的介质材料为特氟龙、陶瓷、氧化铝。
如图1所示,即所述谐振子本体1开口部的边缘设有凸缘,所述绝缘层2就设置在所述凸缘上,所述绝缘层2设置在所述谐振子本体1的筒体顶部,覆盖所述谐振子本体1的凸缘。绝缘层2的上表面与所述谐振腔3的内部顶面相接触。
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