[实用新型]斜沟槽肖特基势垒整流器件有效
| 申请号： | 201320353072.5 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN203300654U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;丁磊 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 肖特基势垒 整流 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种斜沟槽肖特基势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区，半导体基板的上表面为第一主面，半导体基板的下表面为第二主面；其特征在于：所述的第一主面上设置有至少一个斜沟槽，斜沟槽延伸进入到第一导电类型漂移区，斜沟槽周围设置有第二导电类型杂质注入区，斜沟槽的表面覆盖有绝缘栅氧化层，斜沟槽内填充有导电多晶硅，第一主面上淀积第一金属层作为第一电极，第一电极与斜沟槽内的导电多晶硅欧姆接触，并且与第一导电类型漂移区、第二导电类型杂质注入区肖特基接触，第二主面上淀积第二金属层作为第二电极，第二电极与第二主面欧姆接触。
2.如权利要求1所述的斜沟槽肖特基势垒整流器件，其特征在于：所述第一金属层上设有阳极端。
3.如权利要求1所述的斜沟槽肖特基势垒整流器件，其特征在于：所述第二金属层上设有阴极端。
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