[实用新型]用于清洗工艺腔的背板以及工艺腔的清洗装置有效
申请号: | 201320351011.5 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN203284460U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 张宇;杨远江;黄斗冬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 清洗 工艺 背板 以及 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种用于清洗工艺腔的背板以及设有该背板的工艺腔的清洗装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)已在平板显示领域中占据了主导地位。在TFT-LCD的制造过程中,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是用于沉积薄膜的一项重要工艺,玻璃基板通常放在工艺腔中进行CVD处理。在对玻璃基板进行CVD处理形成薄膜的同时,也会在工艺腔的内壁上形成薄膜,工艺腔的内壁上的薄膜堆积到一定程度就会掉落到玻璃基板上,导致玻璃基板发生不良。为避免不良现象,在对一定数量的玻璃基板进行CVD处理之后,需要对工艺腔进行清洗,去除工艺腔内壁上形成的薄膜。
如图1所示,现有的工艺腔的清洗装置主要包括气体发生器(图中未示出)和背板1,清洗装置下方为工艺腔2,工艺腔通常由上极板21、下极板22和侧壁23围成。气体发生器用于产生清洗气体(比如NF3),背板1通常呈矩形,在背板1的中间设置有一个进气口11,清洗气体3通过进气口11扩散至背板1下方,并透过镂空的上极板21进入工艺腔2,与工艺腔2内壁上的薄膜发生反应,从而去除薄膜。
本发明人在实现本实用新型的过程中发现,现有技术至少存在以下问题:背板两侧的气压长期不相等,容易使背板的四个角发生形变,并且,如图2所示,只有背1的中间设置有一个进气口11。这样就会使清洗气体3在背板1下方集中分布在中间区域,如图1所示,导致位于工艺腔2的角落的薄膜难以被清洗干净。另一方面,工艺腔2的角落又恰恰是薄膜沉积最多的部分。因此,现有技术中,存在位于工艺腔的角落的薄膜难以被清洗干净的问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种用于清洗工艺腔的背板以及设有该背板的工艺腔的清洗装置,解决了现有技术中位于工艺腔的角落的薄膜难以被清洗干净的问题。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型提供一种用于清洗工艺腔的背板,所述背板呈矩形,所述背板的中间设置有进气口,所述背板的四个角也均设置有进气口。
本实用新型还提供一种工艺腔的清洗装置,包括气体发生器和上述的背板,所述气体发生器的出气口与所述背板上的各个进气口相连通。
进一步,所述气体发生器的出气口通过六通管与所述背板上的各个进气口相连通;
所述六通管具有相互连通的六个端口,其中一个端口连接所述气体发生器的出气口,另一个端口连接位于所述背板的中间的进气口,其余四个端口分别通过管路连接位于所述背板的四个角的进气口。
进一步,所述气体发生器的出气口还设置有射频电源。
与现有技术相比,本实用新型所提供的上述技术方案具有如下优点:因为背板的中间和四个角都设置有进气口,所以清洗工艺腔时,清洗气体不仅能通过中间的进气口扩散至工艺腔的中间区域,还能通过四个角的进气口扩散至工艺腔的各个角落。这样就有足够的清洗气体与工艺腔各个角落的薄膜发生反应,从而将工艺腔的角落清洗干净,提高产品质量,解决了现有技术中位于工艺腔的角落的薄膜难以被清洗干净的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为现有的工艺腔的清洗装置的示意图;
图2为现有的清洗装置中背板的示意图;
图3为本实用新型的实施例所提供的用于清洗工艺腔的背板的示意图;
图4为本实用新型的实施例所提供的工艺腔的清洗装置的示意图;
图5为本实用新型的实施例所提供的工艺腔的清洗装置的优选实施方式的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
如图3所示,本实用新型实施例所提供的用于清洗工艺腔的背板1呈矩形,背板1的中间设置有进气口11,且背板1的四个角也均设置有进气口12。
如图4所示,因为背板1的中间和四个角都设置有进气口11、12,所以清洗工艺腔2时,清洗气体3不仅能通过中间的进气口11扩散至工艺腔2的中间区域,还能通过四个角的进气口12扩散至工艺腔2的各个角落。这样就有足够的清洗气体3与工艺腔2各个角落的薄膜发生反应,从而将工艺腔2的角落清洗干净,提高产品质量,解决了现有技术中位于工艺腔的角落的薄膜难以被清洗干净的问题。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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