[实用新型]一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件有效
| 申请号： | 201320347744.1 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN203350211U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 胡明;李明达;曾鹏;马双云;闫文君 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 探测 氧化物 气体 多孔 硅气敏 传感器 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，包括硅基片衬底，其特征在于，所述硅基片衬底(1)为p型单晶硅基片，硅基片衬底(1)的抛光面上设置有多孔硅层(2)，多孔硅层(2)的上面设置有铂电极正极(3)和铂电极负极(4)；
所述的多孔硅层(2)是具有高比表面积和孔道高度有序化的气敏材料。
2.根据权利要求1所述的一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，其特征在于，所述硅基片衬底(1)的尺寸为2.4cm×0.9cm。
3.根据权利要求1所述的一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，其特征在于，所述多孔硅层(2)的平均孔径为68.8nm，厚度为18.1μm。
4.根据权利要求1所述的一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，其特征在于，所述多孔硅层(2)的形成区域尺寸为1.6cm×0.4cm。
5.根据权利要求1所述的一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，其特征在于，所述铂电极正极(3)和铂电极负极(4)为0.2cm×0.2cm的方形铂电极，电极厚度为100nm，电极间距为8mm。
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