[实用新型]一种方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统有效
申请号: | 201320347604.4 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN203340034U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 秦风;宋法伦;甘延青;龚海涛;金晓;李详伟 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
主分类号: | H03K3/53 | 分类号: | H03K3/53 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 卿诚;吴彦峰 |
地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 方波 触发 薄膜 电容 blumlein 脉冲 形成 系统 | ||
1.一种方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统,其特征为该系统包括Blumlein型脉冲形成网络、方波触发器、主开关和负载,通过主开关将Blumlein型脉冲形成网络和方波触发器连接在一起,负载连接在Blumlein型脉冲形成网络的输出端;所述Blumlein型脉冲形成网络中各级采用的电容为薄膜电容,薄膜电容的容值为0.8-2nF,所述薄膜电容的输出端采用宽电极连接三螺钉固定输出;所述方波触发器包括储能脉冲形成线、均压电路和低抖动开关,所述储能脉冲形成线的电长度可调,所述均压电路的电路参数可调。
2.根据权利要求1所述的一种方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统,其特征为增加所述薄膜电容的内部子模块的数量,降低电容的容值。
3.根据权利要求2所述的一种方波触发的薄膜电容Blumlein型脉冲形成系统,其特征为增加所述子模块两个电极之间的距离,降低子模块的容值。
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