[实用新型]一种磁传感器有效

专利信息
申请号: 201320346664.4 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN203275621U 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 刘乐杰;时启猛;曲炳郡 申请(专利权)人: 北京嘉岳同乐极电子有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁传感器,包括:

芯片,用于感应被测物体内的磁信号;

线路板,用于支撑所述芯片,所述芯片的输入、输出端与所述线路板电连接;

壳体,所述芯片和所述线路板设于所述壳体内,并用塑胶固定;

焊针,其通过所述线路板与所述芯片的输入、输出端对应电连接;

其特征在于,还包括挡胶框,所述挡胶框设于所述壳体内,并紧贴所述壳体的内壁,所述芯片嵌于所述挡胶框内。

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述挡胶框的厚度小于或等于0.5mm。

3.根据权利要求2所述的磁传感器,其特征在于,所述挡胶框的厚度小于或等于0.2mm。

4.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述芯片的感应面低于所述挡胶框的顶面。

5.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述芯片包括基体、磁感应膜以及芯片焊盘,所述磁感应膜和所述芯片焊盘设于所述基体的表面,所述芯片焊盘作为所述芯片的输入、输出端与所述磁感应膜对应电连接,所述磁感应膜用于感应被测物体内的磁信号。

6.根据权利要求5所述的磁传感器,其特征在于,所述磁感应膜为巨磁阻磁敏感(GMR)薄膜、各向异性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效应磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效应磁阻磁敏感薄膜、霍尔效应薄膜或巨霍尔效应薄膜。

7.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述壳体上设有窗口,置于所述壳体内的所述芯片与所述窗口相对。

8.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,还包括永磁体和导磁体,所述永磁体设于所述线路板的下方,所述导磁体设于所述芯片和所述永磁体之间;

所述导磁体设有两个以上个导磁臂,在所述线路板上设有通孔,所述导磁臂通过所述通孔自所述线路板的下方伸出所述线路板的上方;所述芯片设于所述导磁臂之间。

9.根据权利要求8所述的磁传感器,其特征在于,所述导磁体采用坡莫合金、铁氧体或硅钢片制作。

10.根据权利要求8所述的磁传感器,其特征在于,所述永磁体在所述芯片感应面所在平面上的投影与所述导磁体在所述芯片感应面所在平面上的投影重合,且所述永磁体的投影小于所述导磁体的投影。

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