[实用新型]用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备

权利要求书

1.用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，包括氧化腔，该氧化腔设有进气装置和光照装置，该光照装置可以发出100-5000nm波长范围内的光。

2.根据权利要求1所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述光照装置进一步包括光源、光照强度控制模块、光照时间控制模块和光照波长控制模块。

3.根据权利要求2所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述光源为红外光光源和/或可见光光源。

4.根据权利要求3所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述光源为连续波长光源。

5.根据权利要求4所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述氧化腔内还设有加热装置。

6.根据权利要求5所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述氧化腔还设有出气装置。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，还包括上料台、加热仓、冷却仓和下料台。

8.根据权利要求7所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述加热装置为电阻加热器和/或光照加热器。

9.根据权利要求8所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述电阻加热器连接有功率控制模块，上述光照加热器连接有辐照强度控制模块。

10.根据权利要求9所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述氧化腔和/或加热仓设有可实时监控硅片温度的测温装置。