[实用新型]一种改善热分布集中的超大功率光电器件

权利要求书

1.一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞，该复数个单胞相互串联或并联，其特征在于，该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，其中，每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5，但小于或等于1。 

2.根据权利要求1所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，所述芯片包括依次串联的复数个单胞组，每一单胞组包括两个以上并联设置的单胞。 

3.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，该复数个单胞组沿设定的折返曲线形轨迹依次串联。 

4.根据权利要求1或2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，每一单胞组内的每一单胞的正、负极均与该单胞组的正、负极互联金属电连接。 

5.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，任一单胞组的正、负极互联金属还均与相邻单胞组的负、正极互联金属电连接。 

6.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，位于最上游的单胞组的正极互联金属和最下游的单胞组的负极互联金属还分别与芯片的阳极压焊区和阴极压焊区电连接，或者，位于最上游的单胞组的负极互联金属和最下游的单胞组的正极互联金属还分别与芯片的阴极压焊区和阳极压焊区电连接。 

7.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，它还包含转移基片，所述芯片通过倒装焊形式与转移基片结合。 

8.根据权利要求7所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，所述转移基片上分布有复数个互联金属组，每一单胞组的正、负极互联金属分别与转移基片上对应互联金属组内的正、负互联金属电连接，并且，每一互联金属组内的正、负互联金属还分别与相邻互联金属组内的负极、正极互联金属电连接， 

而位于最上游的互联金属组内的正极互联金属和最下游的互联金属组内的负极互联金属还分别与芯片的阳极压焊区和阴极压焊区电连接，或者，位于最上游的互联金属组内的负极互联金属和最下游的互联金属组内的正极互联金属还分别与芯片的阴极压焊区和阳极压焊区电连接。 

9.根据权利要求1所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，该复数个单胞中，相邻单胞之间的间距在1μm以上，但是在10μm以下。 

10.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，该复数个单胞组排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5，但小于或等于1。