[实用新型]MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门有效

专利信息
申请号: 201320342075.9 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN203340048U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 魏榕山;陈锦锋;于志敏;何明华 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: mos 电子 晶体管 混合结构 可复用 逻辑
【权利要求书】:

1.一种MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门,其特征在于:包括第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路以及第三二输入SET/MOS混合电路;所述第三二输入SET/MOS混合电路的输入端分别对应与所述第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门,其特征在于:所述SET/MOS混合电路包括:

一PMOS管,其源极接电源端Vdd

一NMOS管,其漏极与所述PMOS管的漏极连接;以及

一SET管,其与所述NMOS管的源极连接;该SET管具有两个输入端和一个控制端,则所述可复用逻辑门具备四个输入端三个控制端。

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