[实用新型]MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门有效
申请号: | 201320342075.9 | 申请日: | 2013-06-13 |
公开(公告)号: | CN203340048U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 魏榕山;陈锦锋;于志敏;何明华 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mos 电子 晶体管 混合结构 可复用 逻辑 | ||
1.一种MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门,其特征在于:包括第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路以及第三二输入SET/MOS混合电路;所述第三二输入SET/MOS混合电路的输入端分别对应与所述第一二输入SET/MOS混合电路、第二二输入SET/MOS混合电路的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的MOS管与单电子晶体管混合结构的可复用逻辑门,其特征在于:所述SET/MOS混合电路包括:
一PMOS管,其源极接电源端Vdd;
一NMOS管,其漏极与所述PMOS管的漏极连接;以及
一SET管,其与所述NMOS管的源极连接;该SET管具有两个输入端和一个控制端,则所述可复用逻辑门具备四个输入端三个控制端。
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