[实用新型]单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元有效
| 申请号： | 201320337352.7 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN203326982U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;陈锦锋;于志敏;何明华 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 晶体管 mos 构成 阈值 逻辑 单元 | ||
【权利要求书】：
1. 一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元，其特征在于：包括一SET/MOS混合电路、一第一反相器和一第二反相器，所述SET/MOS混合电路包括四个输入端、一个控制端和一个输出端，所述SET/MOS混合电路的输出端连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端作为所述双阈值逻辑单元的输出端。
2. 根据权利要求1所述的单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元，其特征在于：所述的SET/MOS混合电路包括：
一PMOS管，其源极接电源端Vdd；
一NMOS管，其漏极与所述PMOS管的漏极连接；以及
一SET管，与所述NMOS管的源极连接。
3. 根据权利要求1所述的单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元，其特征在于：所述反相器包括：
一PMOS管，其源极接电源端Vdd；以及
一NMOS管，其漏极作为所述反相器的输出端并连接所述PMOS管的漏极；
且所述PMOS管的栅极作为所述反相器的输入端并连接所述NMOS管的栅极，所述NMOS管的源极接地。
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