[实用新型]Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置有效

专利信息
申请号: 201320325376.0 申请日: 2013-06-06
公开(公告)号: CN203259105U 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 邵传兵;刘小雨 申请(专利权)人: 山东禹城汉能光伏有限公司
主分类号: G01B7/00 分类号: G01B7/00;G01B7/32
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 251200 山东省德州*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: si 薄膜 电池 pecvd 镂空 检测 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及Si基薄膜电池生产领域,特别涉及一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置。

背景技术

为了降低环境污染、CO2温室气体的排放,太阳能产业已成为每个国家的战略要求。目前,光伏市场的产品分为晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池,与晶硅太阳能电池相比,薄膜太阳能电池具有价钱低、污染低、灵活性高、弱光效应好、适合大面积地区使用等优点。PECVD沉积的Si/SiGe/Si三叠层结构是薄膜电池的发电层,负责产生光生载流子,直接决定了Si基薄膜电池的开路电压、短路电流和转换效率。

在现有的生产工艺条件下,PECVD沉积的薄膜在距玻璃短边两端15cm处范围内存在许多镂空,镂空规格主要集中在1mm的范围,不仅影响发电层的开路电压、短路电流,还会使PECVD沉积的背电极与前电极相连形成短路,进一步降低薄膜电池的转换效率。所以PECVD沉积Si基薄膜的镂空面积大小直接影响了薄膜电池的转换效率。

目前,薄膜镂空可采用SEM(扫描电子显微镜)来测量,SEM能精确观察镂空的大小和位置,但薄膜电池两端镂空的数量很多,SEM测试镂空面积也很困难。并且SEM测试需在真空状况下进行,且由于针对薄膜电池尺寸的SEM设备非常昂贵。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是如何克服现有技术的上述缺陷,提供一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置。

为解决上述技术问题,本Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置,包括检测装置、电路系统和用于显示薄膜电池中PECVD成膜镂空面积和数量的显示装置;检测装置包括探针组和用于实现探针组在X轴方向做往返运动的运动系统以及用于实现薄膜电池在Y轴方向做往返运动的定位系统;探针组和电路系统形成闭合回路;显示装置与电路系统的输出端电连接。

如此设计,使用方便,可通过与探针组相连通的电路系统是否形成回路,通过与电路系统的输出端电连接的显示装置检测薄膜镂空数量,进而计算得到薄膜镂空的总数量和总面积。

作为优化,定位系统包括用于将薄膜电池抓紧的气浮抓手,气浮抓手一端连接薄膜电池,另一端连接可将薄膜电池在Y轴方向做往返运动的移动机构。如此设计,便于实现薄膜电池在Y轴方向做往返运动。

作为优化,运动系统包括设置在薄膜电池外侧的伺服电机和两个轴轮,其中一个轴轮为主动轮、连接伺服电机,另一个轴轮为从动轮;两个轴轮通过设置在薄膜电池上方、且纵向放置的轴带相连;还包括用于实现伺服电机正反转转动的控制电路。如此设计,便于实现探针组在X轴方向做往返运动。

作为优化,电路系统由电源、导线、二极管、探针组以及逻辑门电路组成闭合回路。如此设计,可通过二极管是否导通来实现电路系统是否形成回路,进而通过显示装置显示是否为镂空区域。

作为优化,探针组固定在支撑架Ⅰ上,支撑架Ⅰ通过楔形切口定位在轴带上,轴带下设有支撑架Ⅱ,支撑架Ⅱ固定在防止运行过程中探针组发生晃动的基座上;支撑架Ⅰ通过伺服电机带动轴带转动在支撑架Ⅱ上沿X轴方向往返运动。如此设计,使用方便,且可运行过程中探针组发生晃动。

作为优化,每个探针组均包括三个探针,分别为探针1、探针2、探针3,每组的三个探针排列设计为等腰直角三角形,探针1为直角点,探针1分别与探针2、探针3组成逻辑与门电路。如此设计,显示装置可收集逻辑与门电路的输出信号,进而通过信号计算薄膜镂空面积和数量。

作为优化,探针组中每个探针直径均为5微米,相邻探针的间距为100微米。如此设计,检测效果较好。

作为优化,探针组为9组探针,形成3*3的阵列均匀分布在薄膜电池的镂空区域范围内。如此设计,使用方便,且检测效率高。

Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置的检测方法,包括如下步骤:

1):将PECVD沉积的薄膜电池固定在机台上,并初始化检测装置和显示装置;

2):探针组在运动系统的驱动下沿X+轴方向开始扫描,当电路系统形成回路时,通过显示装置显示为薄膜镂空区域,并记录,当电路系统无法形成回路时,通过显示装置显示为非镂空区域,并记录;

3):当探针组沿X+轴方向扫描完成后,通过定位系统控制,薄膜电池沿Y+轴方向移动105-115微米,探针组沿X-轴方向扫描;

4):重复执行上述步骤1)-3)直至完成对薄膜电池中PECVD成膜整个镂空区域的检测;

5):当薄膜电池中PECVD成膜整个镂空区域的检测完成后,通过显示装置汇总并计算得到PECVD沉积薄膜的镂空总数量和总面积。

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