[实用新型]动态闪存存取结构有效

专利信息
申请号: 201320322817.1 申请日: 2013-06-06
公开(公告)号: CN203338341U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 欧富国;陈炳杰 申请(专利权)人: 点序科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 何为;李宇
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 动态 闪存 存取 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型有关于一种动态闪存存取结构,尤指一种可利用控制机构与存取机构的配合,而于进行数据的存取使用时,达到增加使用寿命以及提升使用可靠度的动态闪存存取结构。

背景技术

由于闪存具有数据非挥发性、省电、体积小等特性,因此,常被作为携带式储存装置使用。

一般而言,闪存的储存装置中具有用以储存数据的数据区、用以储存备份数据的备用区、用以储存相关重要信息的系统区、以及用以取代数据区或备用区中已损坏部分的取代区。当运作过程中,若主机系统于闪存的储存地址经常性地写入或更新数据时,该闪存记忆体便会执行数据搬移与抹除动作,尤其当欲搬移的数据量较大时,该闪存的存取速度会大幅降低;此外,闪存的抹除次数是有限的(例如:抹除一万次后就会损坏),因此,在频繁地抹除下,闪存的储存寿命将大幅缩短,而导致使用时的可靠度降低。

有鉴于此,本案设计人特针对前述问题深入探讨,并藉由多年从事相关产业的研发与制造经验,积极寻求解决之道,经过长期努力的研究与发展,终于成功地开发出本实用新型动态闪存存取结构,藉以改善已用的种种问题。

发明内容

本实用新型主要目的在于,提供一种可增加使用寿命以及提升使用可靠度的动态闪存存取结构。

为达上述目的,本实用新型一种动态闪存存取结构,包括有一控制机构以及一存取机构,该存取机构与控制机构连接,且该存取机构包含有多数储存单元,而各储存单元中分别依序设有多数数据储存区,当储存时于某一储存单元的各数据储存区中同时进行相同数据的储存,当读取数据时若控制机构判断前方位阶的数据储存区为错误,则可依序往后方位阶的数据储存区进行读取,直至读取出某一数据储存区的良好数据为止。

于本实用新型上述实施例中,该控制机构包含有一处理器、一与处理器连接的传输接口、一与处理器连接的只读存储器、一与处理器连接的随机存取内存、一与处理器连接的错误检查及校正模块及一连接处理器与存取机构的连接接口。

于本实用新型上述实施例中,该传输接口为USB连接器、SD连接器或SATA连接器。

于本实用新型上述实施例中,该传输接口与主机系统连接。该主机系统为计算机或行动电话。

于本实用新型上述实施例中,该错误检查及校正模块包含有一失败或标记错误单元及一标记正确单元。

于本实用新型上述实施例中,该控制机构与存取机构与一壳体结合,而该传输接口延伸出壳体。

于本实用新型上述实施例中,该存取机构为闪存。

与现有技术相比,本实用新型所具有的有益效果为:本实用新型可利用控制机构与存取机构的配合,而于进行数据的存取使用时,达到增加使用寿命以及提升使用可靠度的功效。

附图说明

图1为本实用新型的外观示意图。

图2为本实用新型的方块示意图。

图3为本实用新型的使用状态示意图。

标号对照:

控制机构1;

处理器11;

传输接口12;

只读存储器13;

随机存取内存14;

错误检查及校正模块15;

失败或标记错误单元151;

标记正确单元152;

连接接口16;

存取机构2;

储存单元21;

数据储存区211;

壳体3;

主机系统4。

具体实施方式

请参阅图1、2及图3所示,分别本实用新型的外观示意图、本实用新型的方块示意图及本实用新型的使用状态示意图。如图所示:本实用新型为一种动态闪存存取结构,其包含有一控制机构1以及一存取机构2所构成,而该控制机构1与存取机构2与一壳体3结合。

上述所提的控制机构1包含有一处理器11、一与处理器11连接且延伸出壳体3的传输接口12、一与处理器11连接的只读存储器13、一与处理器11连接的随机存取内存14、一与处理器11连接的错误检查及校正模块15、及一连接处理器1与存取机构2的连接接口16,该传输接口12可为USB连接器、SD连接器或SATA连接器,而该错误检查及校正模块15包含有一失败或标记错误单元151及一标记正确单元152。

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