[实用新型]利用超声横波上扩散角检验瓷绝缘柱表面缺陷的探头

说明书

技术领域

本实用新型涉及无损检测超声波探伤设备技术领域，尤其是利用超声横波上扩散角检验瓷绝缘柱表面缺陷的探头。

背景技术

目前国家电力公司极为重视自2002年以来多次下发文件要求各电力公司及变电站加强对绝缘瓷柱的探伤工作。国内对瓷绝缘柱探伤采用的方法和检测标准是用爬坡探头探测近表面缺陷。

采用爬坡探头探测近表面缺陷时，利用折射纵波检验，其纵波能量较弱，爬坡是利用了横波部分，此时折射横波较小，产生表面波的条件是折射横波为90°，而在试块上刻槽，横波达到最高后前后移动很小一段距离，折射横波无法达到90°，缺陷波幅很快消失，这样一来检测范围受到了很大影响。

另外由于采用了双晶爬坡探头其尺寸较大，而瓷绝缘柱绝大部分是人工加工成，其表面成型很不规范有的会出现凹凸不平，几乎每只都不一样。过大的探头尺寸会使表面耦合不良，使探伤灵敏度大大降低。既是同一种规格的瓷绝缘柱其尺寸和表面也有差异，则每种规格绝缘瓷柱配备一种探头，给用户增加了开支、给探伤人员带来了不便。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的不足，提出一种利用超声横波上扩散角检验瓷绝缘柱表面缺陷的探头，虽然未采用主波束进行检验，利用边缘波束仍能保证缺陷波幅的反射声压，且尺寸合理设计保证了探伤灵敏度。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型提供以下技术方案： 

利用超声横波上扩散角检验瓷绝缘柱表面缺陷的探头，包括安装在机壳内部的接线座、填充物、导线和压电晶片，所述导线穿过所述填充物两端分别连接所述接线座和位于所述机壳底部的所述压电晶片，

所述接线座安装在所述机壳顶端，

所述压电晶片向所述机壳内部倾斜，其底端面与所述机壳的侧壁连接，

还包括楔块，所述楔块设置在所述机壳底部、所述压电晶片下方，其形状及尺寸与所述机壳和所述压电晶片之间形成的空间对应。

进一步地，所述压电晶片向所述机壳端面形成的角度为大于等于42度小于等于46度。

进一步地，所述压电晶片为边长大于等于8mm小于等于12mm的矩形板片。

进一步地，所述压电晶片的底端与所述机壳底端之间相距2mm。

进一步地，所述机壳横截面为边长大于等于14mm小于等于16m的矩形，相应的其内腔的横截面为边长大于等于12mm小于等于14mm的矩形。

进一步地，所述机壳的高度大于等于25mm小于等于35mm。

本实用新型通过对压电晶片倾斜角度的设计，保证了主波束折射角与声波的上横波扩散角之和达到大于90°以上保证了缺陷波幅的强度，同时对各部分尺寸进行了合理的设计，保证了较高的探伤灵敏度。

附图说明

图1为本实用新型所述利用超声横波上扩散角检验瓷绝缘柱表面缺陷的探头的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。

如图1所示的利用超声横波上扩散角检验瓷绝缘柱表面缺陷的探头，包括安装在机壳4内部的接线座1、填充物2、导线3和压电晶片5，导线3穿过填充物2两端分别连接接线座1和位于机壳4底部的压电晶片5，

接线座1安装在机壳4顶端，

压电晶片5向机壳4内部倾斜，其底端面与机壳4的侧壁连接，

还包括楔块6，楔块6设置在机壳4底部、压电晶片5下方，其形状及尺寸与机壳4和压电晶片5之间形成的空间对应。

压电晶片5向机壳4端面形成的角度为大于等于42度小于等于46度。

压电晶片5为边长大于等于8mm小于等于12mm的矩形板片。

压电晶片5的底端与机壳4底端之间相距2mm。

机壳4横截面为边长大于等于14mm小于等于16m的矩形，相应的其内腔的横截面为边长大于等于12mm小于等于14mm的矩形。

机壳4的高度大于等于25mm小于等于35mm。

本实用新型通过对压电晶片倾斜角度的设计，保证了主波束折射角与上横波扩散角的和达到大于90°以上保证了缺陷波幅的声压，同时对各部分尺寸进行了合理的设计，保证了较高的探伤灵敏度。