[实用新型]具有新型封装结构的影像传感器有效
| 申请号: | 201320316716.3 | 申请日: | 2013-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN203415579U | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
| 发明(设计)人: | 林仲珉;陶玉娟;徐鑫泉 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 新型 封装 结构 影像 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及传感器,尤其涉及具有新型封装结构的影像传感器。
背景技术
传统的影像传感器封装,使用打线方式将影像传感器芯片封装至基板,容易对影像传感器芯片的感测区域产生微粒污染,造成封装产品质量不良,可靠性不足,而且打线方式采用金属线实现芯片与基板的连接,因此芯片四周的基板部分需要留出金属线的连接区域,使得最终的产品封装尺寸比芯片尺寸大的多,且上述方式制程复杂,生产成本较高。
实用新型内容
在下文中给出关于本实用新型的简要概述,以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分,也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
本实用新型的目的在于提供一种影像传感器封装结构,解决封装过程中可能产生的微粒污染,影响产品良率,及结构较大、制程复杂和生产成本较高的问题。
本实用新型提供了一种具有新型封装结构的影像传感器,包括:
透明基材、影像传感器芯片、封闭框和基板;
透明基材的一个表面周边设置有金属重布线,透明基材覆盖于影像传感器芯片主动面上,设置于影像传感器芯片主动面的焊盘与透明基材的金属布线电连接;
封闭框围合于影像传感器芯片四周,封闭框上端接触透明基材设有金属布线的表面,下端接触基板的一个表面,基板此表面设置有电路布线,内置于封闭框的导电件与透明基材的金属布线和基板的电路布线形成电连接。
本实用新型提供的具有新型封装结构的影像传感器,在影像传感器芯片主动面上方覆盖透明基材,可以对芯片感测区域起保护作用,防止制程中产生的颗粒污染,提高制程良率。影像传感器芯片处于透明基材、封闭框及基板围合的空间内,并且在封装过程中,透明基材与影像传感器芯片的结合,封闭框与基板的结合可以同时进行,最后再将所有部件结合在一起,而且封闭框可以预先批量制作,简化了制程,节约工时,降低生产成本,封闭框既能保护影像传感器芯片,又能通过内置导电件构成导电通道,且较打线连接而言,基板不需要留出金属线的连接区域,使得封装结构变小,满足产品轻薄短小的要求。
附图说明
参照下面结合附图对本实用新型实施例的说明,会更加容易地理解本实用新型的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本实用新型的原理。在附图中,相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。
图1为本实用新型提供的透明基材的结构示意图。
图2为本实用新型提供的影像传感器芯片的结构示意图。
图3为本实用新型提供的封闭框的装配示意图。
图4为本实用新型提供的封闭框的另一装配示意图。
图5为本实用新型提供的基板的结构示意图。
图6为本实用新型提供的透明基材与影像传感器芯片的装配示意图。
图7为本实用新型提供的封闭框与基板的装配示意图。
图8为本实用新型提供的具有新型封装结构的影像传感器的结构示意图。
附图标记说明:
1、透明基材,11、第一表面,12、第二表面,13、焊盘网络;
2、影像传感器芯片,21、主动面,22、被动面,23、光线感测区,24、焊盘,25、凸点;
3、封闭框,31、封闭条,32通孔,33、导电件;
4、基板,41、第一表面,42、第二表面,43、接垫网络;
5、封胶。
具体实施方式
下面参照附图来说明本实用新型的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意,为了清楚的目的,附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。
实施例一
如图8所示,具有新型封装结构的影像传感器,包括透明基材1、影像传感器芯片2、封闭框3和基板4。
如图1所示,透明基材1第二表面12设置有金属重布线,透明基材1覆盖于影像传感器芯片2的主动面21上,设置于影像传感器芯片主动面21上的焊盘24与透明基材1的金属布线电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





