[实用新型]图像传感器封装结构及图像传感器模组有效
申请号: | 201320316158.0 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN203398115U | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 邓辉;夏欢;赵立新;李文强 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 封装 结构 模组 | ||
技术领域
本实用新型涉及图像传感器领域,特点是涉及一种图像传感器封装结构及图像传感器模组。
背景技术
图像传感器是一种将光学信息(optical information)转换为电信号的半导体器件装置。现有图像传感器可以被进一步分为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。
图像传感器正朝着微型化的趋势发展,新一代电子产品对图像传感器封装结构有着更高的要求,例如更小的外形和更低的成本。然而传统的图像传感器封装方法通常是将图像传感器功能面的焊盘引到背面,再在背面制作导电焊球或者引脚,以使得所得到的图像传感器封装结构能够与外部电路进行连接。但是现有图像传感器封装方法存在以下缺点:
1.现有图像传感器封装方法需要在图像传感器上制作背面引出结构,即所述的背面引出结构无法脱离图像传感器而先单独制作完成,因此背面引出结构的良率不容易单独控制,并且背面引出结构的制作良率不高,导致封装工艺良率低;
2.现有图像传感器封装方法除了需要设置背面引出结构之外,还需要在图像传感器功能面设置保护基板进行保护,这样,图像传感器的功能面和背面都需要增加一定厚度,因此无法将图像传感器封装结构制作得较薄;
3.对图像传感器设置背面引出结构时,需要在背面设置绝缘层和保护层等结构,以保护相应的导线,然而这些导线、绝缘层或保护层的设置,不仅增加图像传感器封装的复杂程度和工艺成本,而且使所形成的图像传感器封装结构的散热性能下降。
对应的,现有图像传感器封装结构存在着可靠性低、厚度大和散热性能差的问题。由于现有图像传感器封装结构和封装方法存在上述问题,现有图 像传感器模组形成方法同样会存在制作工艺良率低、工艺复杂和工艺成本高的问题,现有图像传感器模组同样存在厚度大和散热性能差的问题。
更多关于图像传感器封装的内容可参考公开号为CN102544040A(2012年7月4号公开)的中国专利申请。
为此,亟需一种图像传感器封装结构及图像传感器模组,以解决现有图像传感器封装结构厚度大和散热性能差的问题,现有图像传感器模组厚度大和散热性能差的问题。
实用新型内容
本实用新型解决的问题是提供一种图像传感器封装结构及图像传感器模组,以使得图像传感器封装结构和图像传感器模组的厚度减小,散热性能提高。
为解决上述问题,本实用新型提供了一种图像传感器封装结构,包括:
图像传感器,所述图像传感器的功能面具有感光区域和非感光区域,所述感光区域上具有像素单元,所述非感光区域上具有第一电极;
与所述图像传感器固定连接的引线板,所述引线板具有框板和贯穿所述框板厚度的内置导线,所述框板具有开口,所述开口暴露出所述感光区域,所述内置导线的一端与所述第一电极电连接。
可选的,还包括:透明基板,所述透明基板固定在所述框板上且覆盖所述开口。
可选的,所述框板上表面设置有第二电极,所述内置导线的另一端与所述第二电极电连接。
可选的,所述框板包括第一上表面和第二上表面,所述第一上表面高于所述第二上表面;所述第二电极位于所述第一上表面;所述透明基板固定在所述第二上表面上,并且所述透明基板的上表面低于所述第一上表面。
可选的,所述第二电极为导电焊球,其顶部与所述透明基板的上表面齐平。
可选的,所述透明基板的上表面和下表面的至少其中之一具有光学镀膜。
可选的,所述光学镀膜包括红外截止膜或者抗反射膜。
可选的,所述内置导线与所述第一电极通过焊接或者导电胶粘接的方式电连接。
可选的,所述框板设置有电容元件和电阻元件的至少其中之一。
可选的,所述框板的材料包括陶瓷材料、有机材料、玻璃材料或者硅材料。
为解决上述问题,本实用新型还提供了一种图像传感器模组,包括:
如上所述的图像传感器封装结构;
印刷电路板,与所述图像传感器封装结构的所述内置导线电连接;
镜头模组,设置在所述印刷电路板上。
可选的,还包括有保护框,固定在所述图像传感器封装结构的侧面。
与现有技术相比,本实用新型的技术方案具有以下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的