[实用新型]一种高温高端恒流源电路有效
| 申请号: | 201320316137.9 | 申请日: | 2013-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN203289321U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
| 发明(设计)人: | 余民;卢祥明 | 申请(专利权)人: | 济南新吉纳远程测控股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
| 代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 邓建国 |
| 地址: | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高温 高端 恒流源 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种高温高端恒流源电路。
背景技术
在研制油田测井、无线随钻仪等仪器时,需要一种耐温150℃的高端恒流源。目前市场上购到的恒流源芯片工作温度只能达到125℃,无法满足测量深井的要求。同时由于测井仪器使用电池供电,要求恒流源来身的功耗极低。
实用新型内容
本实用新型针对油田测井等仪器对供电的控制需要,提供一种耐温150℃的高温高端恒流源电路。
本实用新型采用以下技术解决方案:
一种高温高端恒流源电路,包括运算放大器供电电路,功率放大电路、恒流值调整电路;
所述运算放大器供电电路包括电源、第一电阻、稳压二极管、第一PMOS场效应管和电容;所述电源正极分别与稳压二极管正极、电容、运算放大器连接,电源负极分别与第一电阻、第一PMOS场效应管的漏极、负载连接,所述第一PMOS场效应管的栅极分别连接稳压二极管负极和第一电阻,所述第一PMOS场效应管的源极分别连接电容、第三电阻、运算放大器;
所述功率放大电路包括运算放大器、第二电阻、第三电阻、第四电阻;运算放大器同相输入端分别连接第三电阻、第二电阻;第二电阻连接第四电阻的一端,第四电阻的另一端分别连接运算放大器反相输入端、第二PMOS场效应管的源极;
所述恒流值调整电路包括第二PMOS场效应管、第五电阻、二极管;第二PMOS场效应管的栅极分别连接第五电阻、运算放大器输出端;第二PMOS场效应管的源极还分别与第五电阻、二极管负极连接,第二PMOS场效应管的漏极分别与二极管正极、负载连接。
电路全部元件选用军品级,其中运算放大器优选THS482。
本实用新型的有益效果:本实用新型由两只PMOS场效应管、1只高温运算放大器、1只稳压二极管和若干电阻、电容组成,包括运算放大器供电电路、高位电流取样电路、恒流值调整电路、功率电路,最大输入电压可达100V以上,恒流值可在几毫安到10安以上调节,电路自身损耗电流,在36V输入电压时小于1mA。
附图说明
图1本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示,一种高温高端恒流源电路,包括运算放大器供电电路,功率放大电路、恒流值调整电路;
所述运算放大器供电电路包括电源E、第一电阻R1、稳压二极管Z、第一PMOS场效应管Q1和电容C1;所述电源E正极分别与稳压二极管Z正极、电容C1、运算放大器THS482连接,电源E负极分别与第一电阻R1、第一PMOS场效应管Q1的漏极、负载RL连接,所述第一PMOS场效应管Q1的栅极分别连接稳压二极管Z负极和第一电阻R1,所述第一PMOS场效应管Q1的源极分别连接电容C1、第三电阻R3、运算放大器THS482;
所述功率放大电路包括运算放大器THS482、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4;运算放大器THS482同相输入端分别连接第三电阻R3、第二电阻R2;第二电阻R2连接第四电阻R4的一端,第四电阻R4的另一端分别连接运算放大器THS482反相输入端、第二PMOS场效应管Q2的源极;
所述恒流值调整电路包括第二PMOS场效应管Q2、第五电阻R5、二极管D;第二PMOS场效应管Q2的栅极分别连接第五电阻R5、运算放大器THS482输出端;第二PMOS场效应管Q2的源极还分别与第五电阻R5、二极管D负极连接,第二PMOS场效应管Q2的漏极分别与二极管D正极、负载RL连接。
运算放大器供电电路由稳压二极管Z、第一电阻R1、第一PMOS场效应管Q1、电容C1组成,供电电压值由稳压二极管Z的稳压值和第一PMOS场效应管Q1的导通电压决定,约为(UZ-4);第四电阻R4为高端电流取样电阻,运算放大器THS482的V-为E-UR4;第二电阻R2、第三电阻R3组成V+的电压取样电路,运算放大器THS482的V+为E×(R3/R2+R3);第二PMOS场效应管Q2为功率器件。
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